IRF5305STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт

КОД: IRF5305STRLPBF

£0.66

В наличии

Купить в один клик

Задать вопрос

Описание

Описание IRF5305STRLPBF

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	31 A
Тип корпуса	D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности	110 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	9.65мм
Высота	4.83мм
Размеры	10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.67мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	14 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	39 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток	55 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	63 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1200 pF @ -25 V
Тип канала	A, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	2.5

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные