Одиночные IGBT транзисторы

Главная/Дискретные полупроводники/Транзисторы/IGBT (БТИЗ) транзисторы/Одиночные IGBT транзисторы

AOK30B120D2, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AOTF10B65M1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

APT25GN120SG, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) insulated gate bipolar transistor - fieldstop low freq - single

Цена: по запросу

AUIRG4BC30S-S, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AUIRGP50B60PD1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт

Цена: по запросу

AUIRGPS4070D0, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AUIRGS30B60K, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу

AUIRGS4062D1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 59 а, 246 вт

Цена: по запросу

DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения

В наличии

292.26 ₽

DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт

В наличии

278.64 ₽

FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт

Цена: по запросу

FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт

Цена: по запросу

FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт

Цена: по запросу

FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт

Цена: по запросу

FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт

Цена: по запросу

Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...