Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: IGBT (БТИЗ) транзисторы

Цена: по запросу

APT25GN120SG, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) insulated gate bipolar transistor - fieldstop low freq - single

Цена: по запросу

AUIRG4BC30S-S, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AUIRGP50B60PD1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт

Цена: по запросу

AUIRGPS4070D0, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AUIRGS30B60K, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу

AUIRGS4062D1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 59 а, 246 вт

Цена: по запросу

DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения

В наличии

292.26 ₽

DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт

В наличии

278.64 ₽

FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт

Цена: по запросу

FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт

Цена: по запросу

FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт

Цена: по запросу

FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт

Цена: по запросу

FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт

Цена: по запросу

Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...

FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт

Цена: по запросу

FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт

Цена: по запросу

FGAF40N60SMD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 79 вт

Цена: по запросу

FGH75N60UFTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 150 а, 452 вт

Цена: по запросу

FGH75T65UPD, биполярный транзистор igbt, 650 в, 150 а, 375 вт

Цена: по запросу

FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт

Цена: по запросу

Описание FGL60N100BNTD Корпус TO264 Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9...

FGPF4536, биполярный транзистор igbt, 230 в, 50 а, 30 вт

Цена: по запросу

GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт

В наличии

111.72 ₽

Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...

HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт

Цена: по запросу

HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц

Цена: по запросу

Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...

HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт

Цена: по запросу

HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт

Цена: по запросу

HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт

Цена: по запросу

HGTP20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт

Цена: по запросу

HGTP3N60A4, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IGP40N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт

В наличии

457.89 ₽

IGW03N120H2FKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IGW100N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IGW20N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt 600в 20а to-247

В наличии

378.16 ₽

IGW25N120H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 50 а, 326 вт

Цена: по запросу

IGW30N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IGW30N65L5XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IGW40N120H3FKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IGW40N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 306 вт

В наличии

600.09 ₽

IGW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт

Цена: по запросу

IGW40N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт

Цена: по запросу

IGW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт

В наличии

719.56 ₽

Описание IGW40T120FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery...

IGW50N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 333 вт

Цена: по запросу

IGW50N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IGW50N60TPXKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IGW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт

Цена: по запросу

IGW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт

Цена: по запросу

IGW60N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IHW30N120R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 330 вт

В наличии

631.76 ₽

IHW40N135R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а 394 вт

В наличии

412.78 ₽

IKB40N65ES5ATMA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKD03N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 5 а, 53,6вт

Цена: по запросу

IKD04N60RATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8 а, 75000 мвт

Цена: по запросу

IKD06N60RATMA1, igbt 600v 12a 100w to252-3

Цена: по запросу

IKD06N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 100000 мвт

Цена: по запросу

IKD10N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 150000 мвт

Цена: по запросу

IKP06N60TXKSA1, igbt 600v 12a 88w to220-3

Цена: по запросу

IKP08N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт

Цена: по запросу

IKP08N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт

Цена: по запросу

IKP10N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKP15N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKP15N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 30 а, 105 вт

Цена: по запросу

Описание IKP15N65F5XKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery...

IKP15N65H5XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKP20N60H3XKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а

Цена: по запросу

IKP20N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKP30N65F5XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKP40N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт

Цена: по запросу

IKP40N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт

Цена: по запросу

IKQ40N120CH3XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKQ40N120CT2XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а 500 вт

Цена: по запросу

IKQ50N120CH3XKSA1, транзистор igbt 1200в 100a 652вт

В наличии

1 127.55 ₽

IKQ75N120CS6XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75а

Цена: по запросу

IKW15T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а

Цена: по запросу

IKW20N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKW30N65H5XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKW40N65ES5XKSA1, транзистор igbt, 650в, 50а, 115вт, to247-3

Цена: по запросу

IKW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт

Цена: по запросу

Описание IKW40N65F5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 Part Status Active Channel Type N Configuration Single Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 650 Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20...

IKW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт

Цена: по запросу

IKW50N60DTPXKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKW50N65EH5XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт

Цена: по запросу

IKW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт

Цена: по запросу

IKW50N65WR5XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKW60N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKW75N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKW75N65EL5XKSA1, транзистор биполярный с изолированным затвором igbt 650в 75a с защитным диодом to247-3

Цена: по запросу

IKY40N120CS6XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKY75N120CH3XKSA1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IKZA50N65RH5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650в 50а

Цена: по запросу

IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...

IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC30FPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 10...

IRG4BC30KD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30KDSTRLP, igbt 600v 28a 100w d2pak

Цена: по запросу

IRG4BC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30W-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30W-STRLP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BH20K-LPBF, igbt 1200v 11a 60w to262

Цена: по запросу

IRG4BH20K-SPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4BH20K-STRLP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4IBC10UDPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4IBC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 17 а, 45 вт

Цена: по запросу

IRG4IBC30WPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4P254S, биполярный транзистор igbt, 250 в, 98 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30FPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

В наличии

914.77 ₽

Описание IRG4PC30UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC30UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC40FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 27 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40FDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4PC40FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 49 а, 160 вт

В наличии

705.36 ₽

IRG4PC40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 42 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 42 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC40UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.72 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC50KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 52 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PC50SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 34...

IRG4PC50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50UDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4PC50WPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50WPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 41...

IRG4PC60FPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PC60UPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PF50WDPBF, биполярный транзистор igbt, 900 в, 51 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PF50WDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 900 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 51 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

Одиночные IGBT транзисторы