Москва
 
+7(495)740-30-77

Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
64
AOK30B120D2, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
AOTF10B65M1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
APT25GN120SG, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) insulated gate bipolar transistor - fieldstop low freq - single
Цена: по запросу
AUIRG4BC30S-S, транзистор igbt одиночный
AUIRG4BC30S-S, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
AUIRGP50B60PD1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт
AUIRGP50B60PD1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт
Цена: по запросу
AUIRGPS4070D0, транзистор igbt одиночный
AUIRGPS4070D0, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
AUIRGS30B60K, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
AUIRGS30B60K, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
Цена: по запросу
AUIRGS4062D1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 59 а, 246 вт
AUIRGS4062D1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 59 а, 246 вт
Цена: по запросу
DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения
DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения
В наличии
292.26 ₽
DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт
DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт
В наличии
278.64 ₽
FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт
FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт
Цена: по запросу
FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт
FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт
Цена: по запросу
FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт
FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт
Цена: по запросу
FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт
FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт
Цена: по запросу
FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт
FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт
Цена: по запросу
Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...
FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт
FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт
Цена: по запросу
FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт
FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт
Цена: по запросу
FGAF40N60SMD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 79 вт
FGAF40N60SMD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 79 вт
Цена: по запросу
FGH75N60UFTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 150 а, 452 вт
FGH75N60UFTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 150 а, 452 вт
Цена: по запросу
FGH75T65UPD, биполярный транзистор igbt, 650 в, 150 а, 375 вт
FGH75T65UPD, биполярный транзистор igbt, 650 в, 150 а, 375 вт
Цена: по запросу
FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный
FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт
FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт
Цена: по запросу
Описание FGL60N100BNTD Корпус TO264 Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9...
FGPF4536, биполярный транзистор igbt, 230 в, 50 а, 30 вт
FGPF4536, биполярный транзистор igbt, 230 в, 50 а, 30 вт
Цена: по запросу
GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт
GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт
В наличии
111.72 ₽
Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...
HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт
HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт
Цена: по запросу
HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный
HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц
HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц
Цена: по запросу
Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...
HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт
HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт
Цена: по запросу
HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт
HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт
Цена: по запросу
HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт
HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт
Цена: по запросу
HGTP20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт
HGTP20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт
Цена: по запросу
HGTP3N60A4, транзистор igbt одиночный
HGTP3N60A4, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGP40N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IGP40N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
В наличии
457.89 ₽
IGW03N120H2FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW100N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW20N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt 600в 20а to-247
IGW20N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt 600в 20а to-247
В наличии
378.16 ₽
IGW25N120H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 50 а, 326 вт
IGW25N120H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 50 а, 326 вт
Цена: по запросу
IGW30N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный
IGW30N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW30N65L5XKSA1, транзистор igbt одиночный
IGW30N65L5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW40N120H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW40N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 306 вт
IGW40N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 306 вт
В наличии
600.09 ₽
IGW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IGW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Цена: по запросу
IGW40N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IGW40N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Цена: по запросу
IGW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
IGW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
В наличии
719.56 ₽
Описание IGW40T120FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery...
IGW50N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 333 вт
IGW50N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 333 вт
Цена: по запросу
IGW50N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный
IGW50N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW50N60TPXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
IGW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
Цена: по запросу
IGW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
IGW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
Цена: по запросу
IGW60N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IHW30N120R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 330 вт
IHW30N120R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 330 вт
В наличии
631.76 ₽
IHW40N135R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а 394 вт
IHW40N135R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а 394 вт
В наличии
412.78 ₽
IKB40N65ES5ATMA1, транзистор igbt одиночный
IKB40N65ES5ATMA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKD03N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 5 а, 53,6вт
IKD03N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 5 а, 53,6вт
Цена: по запросу
IKD04N60RATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8 а, 75000 мвт
IKD04N60RATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8 а, 75000 мвт
Цена: по запросу
IKD06N60RATMA1, igbt 600v 12a 100w to252-3
IKD06N60RATMA1, igbt 600v 12a 100w to252-3
Цена: по запросу
IKD06N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 100000 мвт
IKD06N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 100000 мвт
Цена: по запросу
IKD10N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 150000 мвт
IKD10N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 150000 мвт
Цена: по запросу
IKP06N60TXKSA1, igbt 600v 12a 88w to220-3
IKP06N60TXKSA1, igbt 600v 12a 88w to220-3
Цена: по запросу
IKP08N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт
IKP08N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт
Цена: по запросу
IKP08N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт
IKP08N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт
Цена: по запросу
IKP10N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
IKP10N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKP15N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
IKP15N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKP15N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 30 а, 105 вт
IKP15N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 30 а, 105 вт
Цена: по запросу
Описание IKP15N65F5XKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery...
Показать еще 64 товара