PMBFJ309,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание PMBFJ309,215
N-channel JFET, NXP
| Структура | n-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 25 |
| Ток утечки (Idss), мА | 12…30 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 10 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…4 |
| при Id, нА | 1000 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 50(typ) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.25 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -65…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.05 г
Код товара
119312
Корпус
SOT23-3
Краткое описание
JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт
Мощность Макс
250 мВт
Напряжение отсечки (при токе)
1 В
Напряжение Сток-Исток Макс
25 В
Нормоупаковка
3000 шт
Проводимость (N/P)
N-канальный
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/6f/98/2e/91/569cd3a30d66c4b39c8a99dd.pdf