Транзисторы управляемые p-n переходом

Описание MMBFJ201 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 40 Ток утечки (Idss), мА 0.2…1 при Vds, В (Vgs=0) 20 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.3…1.5 при Id, нА 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.35...
Описание PMBFJ309,215 N-channel JFET, NXP Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 25 Ток утечки (Idss), мА 12…30 при Vds, В (Vgs=0) 10 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 50(typ) Максимальная...
Цена: по запросу