Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: Полевые транзисторы

2N5638, jfet n-ch 30в 350мвт to92

Цена: по запросу

2SJ601-AZ, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

2SK208-R(TE85L,F), полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 50 в, 0.1 вт

133.40 ₽

2SK208-Y(TE85R,F), полевой транзистор с управляемым p-n переходом

Цена: по запросу

2SK209-BL(TE85L,F), полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный

Цена: по запросу

2SK209-GR(TE85L,F), полевой транзистор n-канальный

Цена: по запросу

2SK209-Y(TE85L,F), полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный

Цена: по запросу

2SK212 F, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 20 в, 10 ма

Цена: по запросу

2SK246 BL, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный

Цена: по запросу

2SK246BL, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный

Цена: по запросу

2SK3357, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 60 в, 75 а, 3000мвт

Цена: по запросу

2SK880-GR(TE85L,F), полевой транзистор с управляемым p-n переходом

Цена: по запросу

BF861B,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в

Цена: по запросу

BF861B,235, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

BF861C,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25v, 10ma

Цена: по запросу

Описание BF861C,215 N-channel JFET, NXP Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 3мм Transistor Configuration Одинарный Запирающий ток сток-исток Idss 12 → 25mA Производитель NXP Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB) Тип монтажа Поверхностный монтаж...

BF862,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20 в

Цена: по запросу

Описание BF862,215 Корпус TO236 Структура n-канал Корпус sot23 Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.025 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт...

BF862,235, jfet n-ch 20v 25ma sot23

Цена: по запросу

BFR30,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 10 ма, 250 мвт

Цена: по запросу

BFR31,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 10 ма, 250 мвт

Цена: по запросу

BFT46,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 10 ма, 250 мвт

Цена: по запросу

BSR57, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 20 ма

Цена: по запросу

BSR57,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 250 мвт

Цена: по запросу

BSR58, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 8 ма, 0.25вт

Цена: по запросу

BSR58,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 250 мвт

Цена: по запросу

CGH40120F, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

J105, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J106, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J109, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J112, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 5(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…5 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 50(max)...

J112G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

J112_D26Z, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J113 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 2(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.5…3 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 100(max)...

J176_D74Z, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

LS3954A, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный

Цена: по запросу

LU1014D, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 24 в, 50 а

Цена: по запросу

MMBF4117, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4118, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4391, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4391LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в

Цена: по запросу

MMBF4392, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4392LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4393, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBF4393LT1G The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications. • 30VDC Drain-source voltage • 30VDC Drain-gate voltage • 30VDC Gate-source voltage • 50mA Forward gate current Максимальная рабочая...

MMBF4393LT3G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF5103, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5457, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5458, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5458, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5461, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF5461, полевой транзистор с управляемым p-n переходом

Цена: по запросу

MMBF5462, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.92мм Transistor Configuration Одинарный Емкость исток-затвор 28пФ Запирающий ток сток-исток Idss min. 5mA Производитель ON Semiconductor Емкость...

MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ176 P-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 2…25 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 250(max)...

MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ177 Корпус TO236 Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 1.5…20 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.8…2.5 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 300(max) Максимальная рассеиваемая...

MMBFJ177LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ201, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ201 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 40 Ток утечки (Idss), мА 0.2…1 при Vds, В (Vgs=0) 20 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.3…1.5 при Id, нА 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.35...

MMBFJ202, полевой транзистор с управляемым p-n переходом n-канальный 40в 350мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Транзисторы управляемые p-n переходом