MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание MMBFJ112
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Емкость исток-затвор | 28пФ |
| Запирающий ток сток-исток Idss | min. 5mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Емкость сток-затвор | 28пФ |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.3 |
| Высота | 0.93мм |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 50 Ом |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 35V |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.92 x 1.3 x 0.93мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | 35 В |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.03 г
Код товара
220006
Корпус
SOT-23
Краткое описание
JFET N-CH 35V 350mW SOT-23 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Мощность Макс
350 мВт
Напряжение отсечки (при токе)
1 В
Напряжение Сток-Исток Макс
35 В
Нормоупаковка
3000 шт
Проводимость (N/P)
N-канальный
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/e1/88/d6/21/eec5980a69db69e28a99309a.pdf