IRF9362TRPBF, mosfet 2p-ch 30v 8a 8soic
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF9362TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 21 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 8 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 12s |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5 |
| Типичное время задержки включения | 5,2 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 115 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 32 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 26 nC @ 15 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1300 pF @ -25 V |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Вес, г | 0.15 |
Особенности
Вес брутто
0.25 г
Код товара
344494
Корпус
SO-8
Краткое описание
MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -8A, SOIC-8 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Максимальное напряжение сток-исток
30V
Маскимальный ток стока
8A
Нормоупаковка
4000 шт
Тип транзистора
2xP-channel
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/41/e3/b4/0c/32cb07a91aa76ea0c74d04a2.pdf