IRFRC20PBF, транзистор полевой n-канальный 600в 2.0а 42вт, 4.4 ом

КОД: IRFRC20PBF

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание IRFRC20PBF

The IRFRC20PBF is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Fast switching

Id - непрерывный ток утечки	2 A
Pd - рассеивание мощности	42 W
Qg - заряд затвора	18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	23 ns
Время спада	25 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.4 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	IRFR/U
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	0.6

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные