IRFI620GPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 4.1a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFI620GPBF
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 А |
| Тип корпуса | TO-220FP |
| Maximum Power Dissipation | 30 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 нКл при 10 В |
| Transistor Material | Кремний |
| Channel Mode | Поднятие |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -10 В, +10 В |
| Вес, г | 2 |
Особенности
Входная емкость
260пФ
Заряд затвора
14нКл
Код товара
204073
Корпус
TO-220
Краткое описание
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистор полевой N-канальный 200В 4.1A
Мощность Макс
30Вт
Напряжение исток-сток макс
200В
Нормоупаковка
50 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
800 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
4.1A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/6b/a4/6c/b8/34345aa162e1f44b5eb4a83f.pdf