IRFD9024PBF, транзистор полевой p-канальный 60в 1.6а 1.3вт, 0.28 ом
Описание
Описание IRFD9024PBF
The IRFD9024PBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -1.6 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.28 ом при-0.96a, -10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Крутизна характеристики, S | 1.3 |
Корпус | hd-1 |
Пороговое напряжение на затворе | -4 |
Вес, г | 0.6 |