IRFD9024PBF, транзистор полевой p-канальный 60в 1.6а 1.3вт, 0.28 ом

IRFD9024PBF
Цена: по запросу
Нет в наличии

Описание

Описание IRFD9024PBF

The IRFD9024PBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.28 ом при-0.96a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Крутизна характеристики, S1.3
Корпусhd-1
Пороговое напряжение на затворе-4
Вес, г0.6

Особенности

Вес брутто
0.57 г
Входная емкость
570пФ
Заряд затвора
19нКл
Код товара
45356
Корпус
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Краткое описание
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP Транзистор полевой P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом
Мощность Макс
1.3Вт
Напряжение исток-сток макс
60В
Нормоупаковка
100 шт
Пороговое напряжение включения макс
Сопротивление открытого канала
280 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
P-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
1.6A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/d8/7a/e3/82/eb10f7c88e470d29419abf54.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные