IRFB4310ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 120а 250вт
Описание
Описание IRFB4310ZPBF
The IRFB4310ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 127 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 ом при 75a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
Крутизна характеристики, S | 150 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Вес, г | 2.5 |