IRFB20N50KPBF, транзистор полевой n-канальный 500в 20а 280вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFB20N50KPBF
The IRFB20N50KPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Simple drive requirements
• Low RDS (ON)
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 ом при 12a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 280 |
Крутизна характеристики, S | 11 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 5 |
Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.9 г
Входная емкость
2870пФ
Заряд затвора
110нКл
Код товара
92089
Корпус
TO-220AB
Краткое описание
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB, 280W Транзистор полевой N-канальный 500В 20А 280Вт
Мощность Макс
280Вт
Напряжение исток-сток макс
500В
Нормоупаковка
50 шт
Пороговое напряжение включения макс
5В
Сопротивление открытого канала
250 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
20A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/30/62/5d/44/b15a48eaf763460695b6ae95.pdf