IRF3808STRLPBF, транзистор полевой n-канал 75в/106а/200вт/0.007 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF3808STRLPBF
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 106 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 ом при 82a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | 100 |
| Корпус | d2pak |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
1.35 г
Входная емкость
5310пФ
Заряд затвора
220нКл
Код товара
340121
Корпус
D2Pak (TO-263)
Краткое описание
MOSFET N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом Транзистор полевой N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом
Мощность Макс
200Вт
Напряжение исток-сток макс
75В
Нормоупаковка
800 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
7 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
106A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/71/cd/c0/db/972e7340b98dd73647c0649b.pdf