FQPF3N80C, транзистор полевой n-канальный 800в 1.8а 39вт

КОД: FQPF3N80C

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FQPF3N80C

The FQPF3N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (13nC)
• Low Crss (5.5pF)
• 100% avalanche tested

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	3 A
Тип корпуса	TO-220F
Максимальное рассеяние мощности	39 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.7
Высота	9.19мм
Размеры	10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.16мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	15 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	22,5 нс
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	4.8 Ω
Максимальное напряжение сток-исток	800 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	13 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	543 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	2

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные