FQP44N10, транзистор полевой n-канальный 100в 43.5а 146вт

КОД: FQP44N10

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FQP44N10

FQP44N10 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокий уровень энергетической силы лавинного процесса. Он подходит для импульсных источников питания, усилителей звуковой мощности и устройств с переменной мощностью.

• Лавинное тестирование 100%
• Типичное значение заряда затвора 48нКл
• Типичное значение Crss 85пФ

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	43 А
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	146 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.7
Высота	9.4мм
Размеры	10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.1мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	19 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	90 ns
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	39 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	48 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1400 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-25 В, +25 В
Вес, г	2.5

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные