AUIRLR014N, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 10 а
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание AUIRLR014N
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
| Корпус | dpak |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.14 ом при 6a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 |
| Особенности | Автомобильные Приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
| Вес, г | 0.4 |
Особенности
Входная емкость
265пФ
Заряд затвора
7.9нКл
Код товара
182326
Корпус
DPAK/TO-252AA
Краткое описание
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 10 А
Мощность Макс
28Вт
Напряжение исток-сток макс
55В
Нормоупаковка
75 шт
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс
3В
Сопротивление открытого канала
140 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
10A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/5d/e6/45/2e/42423d861f4dfc47affd98ce.pdf