2N7000TA, транзистор полевой n-канальный 60в 350ма, 0.4вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание 2N7000TA
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 ом при 0.5а, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Корпус | to92 |
| Вес, г | 0.3 |
Особенности
Вес брутто
0.3 г
Входная емкость
50пФ
Код товара
162122
Корпус
TO92/formed lead
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92 Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Мощность Макс
400мВт
Напряжение исток-сток макс
60В
Нормоупаковка
2000 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
3В
Сопротивление открытого канала
5 Ом
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Amunition Pack (лента в коробке)
Ток стока Макс
200мА
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/86/4d/a8/a9/4ca6c5f616afbc4ed62b5d71.pdf