FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FF100R12RT4HOSA1
IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 94мм |
| Transistor Configuration | Серия |
| Brand | Infineon |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 В |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 А |
| Package Type | AG-34MM-1 |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Mounting Type | Монтаж на панель |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Width | 34мм |
| Высота | 30.2мм |
| Dimensions | 94 x 34 x 30.2mm |
| Configuration | Серия |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Channel Type | N |
| Вес, г | 160 |
Особенности
Вес брутто
189.5 г
Код товара
139729
Корпус
AG-34MM
Краткое описание
IGBT module, Trench-IGBT 4, 1200V, 100A, dual, 555W Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Нормоупаковка
10 шт
Остаток под заказ
0 шт
Тип упаковки
Paper Box
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/4d/b6/f9/69/17767c5bf50e37d0c1594cf4.pdf