STGW35HF60WDA, биполярный транзистор igbt, 100 кгц, 35 а, 600 в
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание STGW35HF60WDA
IGBT Discretes, STMicroelectronics
| Технология/семейство | hf, planar |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 30 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 175 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-247 |
| Структура | n-канал |
| Управляющее напряжение,В | 5.75 |
| Вес, г | 7.5 |
Особенности
Вес брутто
6.5 г
Импульсный ток коллектора макс
150 А
Код товара
143039
Корпус
TO-247
Краткое описание
IGBT Chip N-CH 600V 60A 200 W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В
Макс. напр. коллектор-эмиттер
600 В
Макс. рассеиваемая мощность
200 Вт
Макс. ток коллектора
60 А
Нормоупаковка
30 шт
Остаток под заказ
0 шт
Переключаемая энергия
290 мкДж
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/80/2c/b1/a8/f4730ddcfb51b9e6094cfdeb.pdf