SGP02N120XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 6.2 а, 62000 мвт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание SGP02N120XKSA1
Infineon Discrete IGBT Transistors
Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode.
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 6.2 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 9.6 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 62 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 260 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | pg-to-220-3-1 |
| Структура | n-канал |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
| Дополнительные опции | выдерживает 10мкс кз |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
3.5 г
Код товара
232100
Корпус
TO-220
Краткое описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200V
Макс. рассеиваемая мощность
62W
Макс. ток коллектора
6.2A
Нормоупаковка
500 шт