SGB07N120ATMA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 16.5 а, 125000 мвт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Особенности
Вес брутто
1.2 г
Код товара
232085
Корпус
D2PAK/TO263
Краткое описание
IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200V
Макс. рассеиваемая мощность
125W
Макс. ток коллектора
16.5A
Нормоупаковка
1000 шт