Одиночные IGBT транзисторы

Главная/Дискретные полупроводники/Транзисторы/IGBT (БТИЗ) транзисторы/Одиночные IGBT транзисторы

FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт

Цена: по запросу

Описание FGL60N100BNTD Корпус TO264 Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9...

FGPF4536, биполярный транзистор igbt, 230 в, 50 а, 30 вт

Цена: по запросу

GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт

В наличии

$1.23

Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...

HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт

Цена: по запросу

HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц

Цена: по запросу

Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...