IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт

IRGP30B120KD-EP
Цена: по запросу
Нет в наличии

Описание

Описание IRGP30B120KD-EP

Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

Технология/семействоnpt
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A60
Импульсный ток коллектора (Icm), А120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт300
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс210
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
КорпусTO-247AD
Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В1200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300
Корпусto247ad
Структураn-канал+диод
Управляющее напряжение,В5
Крутизна характеристики, S16.9
Вес, г7.5

Особенности

Вес брутто
7.64 г
Импульсный ток коллектора макс
120 А
Код товара
146201
Корпус
TO-247AD
Краткое описание
IGBT N-CH 1200V 60A 300 W Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. рассеиваемая мощность
300 Вт
Макс. ток коллектора
60 А
Маркировка
Obsolete
Нормоупаковка
25 шт
Переключаемая энергия
1.07 мДж
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/ed/90/60/0d/7861b1f087fb21da2f80394b.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные