MMBTA06LT1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а, 0.225вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание MMBTA06LT1G
The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
• Halogen-free/BFR-free
• 80VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 4VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.03 г
Код товара
72169
Корпус
SOT-23
Коэффициент усиления hFE
100
Краткое описание
NPN 80V 0.5A Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт
Мощность Макс
225mW
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
80V
Нормоупаковка
3000 шт
Остаток под заказ
0 шт
Тип монтажа
Поверхностный
Тип транзистора
NPN
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток коллектора Макс
500mA
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/03/74/cd/37/d2f125b889359825da900d56.pdf