Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
IRG4BC30KDSTRLP, igbt 600v 28a 100w d2pak
IRG4BC30KDSTRLP, igbt 600v 28a 100w d2pak
Цена: по запросу
IRG4BC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт
IRG4BC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4BC30W-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
IRG4BC30W-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4BC30W-STRLP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
IRG4BC30W-STRLP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4BH20K-LPBF, igbt 1200v 11a 60w to262
IRG4BH20K-LPBF, igbt 1200v 11a 60w to262
Цена: по запросу
IRG4BH20K-SPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт
IRG4BH20K-SPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт
Цена: по запросу
IRG4BH20K-STRLP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт
IRG4BH20K-STRLP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт
Цена: по запросу
IRG4IBC10UDPBF, транзистор igbt одиночный
IRG4IBC10UDPBF, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IRG4IBC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 17 а, 45 вт
IRG4IBC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 17 а, 45 вт
Цена: по запросу
IRG4IBC30WPBF, транзистор igbt одиночный
IRG4IBC30WPBF, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IRG4P254S, биполярный транзистор igbt, 250 в, 98 а, 200 вт
IRG4P254S, биполярный транзистор igbt, 250 в, 98 а, 200 вт
Цена: по запросу
IRG4PC30FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
IRG4PC30FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4PC30FPBF, транзистор igbt одиночный
IRG4PC30FPBF, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IRG4PC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт
IRG4PC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4PC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт
IRG4PC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4PC30UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
IRG4PC30UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
В наличии
914.77 ₽
Описание IRG4PC30UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...
IRG4PC30UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
IRG4PC30UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт
Цена: по запросу
IRG4PC40FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 27 а, 160 вт
IRG4PC40FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 27 а, 160 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4PC40FDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
IRG4PC40FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 49 а, 160 вт
IRG4PC40FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 49 а, 160 вт
В наличии
705.36 ₽
IRG4PC40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 42 а, 160 вт
IRG4PC40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 42 а, 160 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4PC40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 42 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...
Показать еще 20 товаров