Москва
 
+7(495)740-30-77

Оптоэлектроника

Сортировать по:
От А до Я
16
4N33SM, оптоизолятор 7.5кв транзистор дарлингтона c выводом базы 6smd
4N33SM, оптоизолятор 7.5кв транзистор дарлингтона c выводом базы 6smd
Цена: по запросу
4N33SR2M, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 150ма 0.25вт кус=500% -55...+100c
4N33SR2M, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 150ма 0.25вт кус=500% -55...+100c
Цена: по запросу
Описание 4N33SR2M Характеристики Максимальный прямой ток,мА 80 Напряжение изоляции,кВ 5.3 Тип корпуса so6 Максимальное выходное напряжение, В 30 Тип выхода фототранзистор Время включения/выключения, мкс 2
4N35(SHORT,F), оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
Цена: по запросу
4N35, оптопара транзисторная одноканальная 3.55кв /30в 0.1a кус=100% 0.35вт -55...+100°c
4N35, оптопара транзисторная одноканальная 3.55кв /30в 0.1a кус=100% 0.35вт -55...+100°c
В наличии
£0.10
Описание 4N35 Корпус DIP6300 Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 3550 Коэффициент передачи по току (Min), % 100 Время включения (Typ), мкс 3 Время выключения (Typ), мкс 3 Тип входа DC Тип выхода Транзистор с базой Напряжение выхода, В 30...
4N35, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
4N35, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
Цена: по запросу
4N35, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
4N35, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
Цена: по запросу
Описание 4N35 Характеристики Максимальный прямой ток,мА 60 Напряжение изоляции,кВ 5.3 Тип корпуса dip6 Максимальное выходное напряжение, В 30 Тип выхода фототранзистор Время включения/выключения, мкс 2
4N35, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
4N35, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
Цена: по запросу
4N35-000E, оптопара транзисторная, x1 3.55кв 10в кус=100%... 0.35вт -55...+100°c
4N35-000E, оптопара транзисторная, x1 3.55кв 10в кус=100%... 0.35вт -55...+100°c
Цена: по запросу
4N35-300E, оптопара транзисторная, 3.55кв 60ма
4N35-300E, оптопара транзисторная, 3.55кв 60ма
Цена: по запросу
4N35-360E, оптопара транзисторная
4N35-360E, оптопара транзисторная
Цена: по запросу
4N35-500E, оптопара одноканальная транзисторный выход постоянного тока c выводом базы
4N35-500E, оптопара одноканальная транзисторный выход постоянного тока c выводом базы
Цена: по запросу
4N35-560E, оптоизолятор 3.55кв транзисторный выход c выводом базы 6smd
4N35-560E, оптоизолятор 3.55кв транзисторный выход c выводом базы 6smd
Цена: по запросу
4N35-W00E, оптоизолятор 3.55кв транзисторный выход c выводом базы 6dip
4N35-W00E, оптоизолятор 3.55кв транзисторный выход c выводом базы 6dip
Цена: по запросу
4N35-X001, оптопара транзисторная
Цена: по запросу
4N35-X009T, optoiso 5kv trans w/base 6smd
4N35-X009T, optoiso 5kv trans w/base 6smd
Цена: по запросу
4N35M, оптопара транзисторная, x1 7.5кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
4N35M, оптопара транзисторная, x1 7.5кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c
Цена: по запросу
Описание 4N35M Характеристики Максимальный прямой ток,мА 60 Напряжение изоляции,кВ 5.3 Тип корпуса dip6 Максимальное выходное напряжение, В 30 Тип выхода фототранзистор Время включения/выключения, мкс 2
Показать еще 16 товаров