Оптоэлектроника :: Оптопары

4N27, оптопара одноканальная транзисторный выход постоянного тока c выводом базы 6-pin pdip туба

Цена: по запросу

Описание 4N27 Характеристики Максимальный прямой ток,мА 60 Напряжение изоляции,кВ 5.3 Тип корпуса dip6 Максимальное выходное напряжение, В 30 Тип выхода фототранзистор Время включения/выключения, мкс 2

4N27M, оптопара транзисторная, x1 7.5кв 30в 10ма

Цена: по запросу

4N28, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 70в 10ма

Цена: по запросу

Описание 4N28 Характеристики Максимальный прямой ток,мА 60 Напряжение изоляции,кВ 5.3 Тип корпуса dip6 Максимальное выходное напряжение, В 30 Тип выхода фототранзистор Время включения/выключения, мкс 2

4N28M, оптопара 5кв транзисторная с выводом базы 6dip

Цена: по запросу

4N28SM, оптоизолятор 7.5кв транзисторный выход c выводом базы 6smd

Цена: по запросу

4N29M, оптопара транзисторная одноканальная 5.0 кв /80в кус=20%... 0.20вт -55...+110°c

Цена: по запросу

Описание 4N29M Характеристики Максимальный прямой ток,мА 80 Напряжение изоляции,кВ 2.5 Тип корпуса dip6 Максимальное выходное напряжение, В 30 Тип выхода фототранзистор Время включения/выключения, мкс 5

4N29SR2M, оптопара одноканальная с транзистором дарлингтона вывод базы выход постоянного тока 6-pin pdip для поверхностного монтажа белый лента на катушке

Цена: по запросу

4N31, оптопара транзисторная, x1 ctr>50%(10ma), vce=30v

В наличии

5.85 ₽

4N32, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 10ма кус=500%

Цена: по запросу

Описание 4N32 Характеристики Максимальный прямой ток,мА 80 Напряжение изоляции,кВ 2.5 Тип корпуса dip6 Максимальное выходное напряжение, В 30 Тип выхода фототранзистор Время включения/выключения, мкс 5

4N32M, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 0.15а 0.1вт кус=500% -55...+100c

Цена: по запросу

4N32SM, оптопара одноканальная с транзистором дарлингтона вывод базы выход постоянного тока 6-pin pdip для поверхностного монтажа белый россыпь

Цена: по запросу

4N32SR2M, оптоизолятор 2.5кв транзистор дарлингтона с выводом базы 6smd

Цена: по запросу

4N33, оптопара транзисторная, x1 2.5кв 30в 10ма кус=500 -55°с...+100°с

Цена: по запросу

Описание 4N33 The 4N33 is an Optically Coupled Isolator with a gallium arsenide infrared LED and a silicon photodarlington sensor. Switching can be achieved while maintaining a high degree of isolation between driving and load circuits. This can be used to replace reed and mercury relays...

4N33-X009T, оптоизолятор 5.3кв транзистор дарлингтона c выводом базы 6smd

Цена: по запросу

4N33M, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 150ма 0.25вт кус=500% -55...+100c

Цена: по запросу

4N33S(TA)-V, оптопара транзисторная

Цена: по запросу

4N33SM, оптоизолятор 7.5кв транзистор дарлингтона c выводом базы 6smd

Цена: по запросу

4N33SR2M, оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 150ма 0.25вт кус=500% -55...+100c

Цена: по запросу

Описание 4N33SR2M Характеристики Максимальный прямой ток,мА 80 Напряжение изоляции,кВ 5.3 Тип корпуса so6 Максимальное выходное напряжение, В 30 Тип выхода фототранзистор Время включения/выключения, мкс 2

4N35(SHORT,F), оптопара транзисторная, x1 5.3кв 30в 100ма 0.2вт кус=100% -55...+110c

Цена: по запросу

4N35, оптопара транзисторная одноканальная 3.55кв /30в 0.1a кус=100% 0.35вт -55...+100°c

В наличии

11.13 ₽

Описание 4N35 Корпус DIP6300 Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 3550 Коэффициент передачи по току (Min), % 100 Время включения (Typ), мкс 3 Время выключения (Typ), мкс 3 Тип входа DC Тип выхода Транзистор с базой Напряжение выхода, В 30...