Микросхемы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IPS511GTR Тип Общего Назначения Конфигурация High Side Количество выходов 1 Соотношение - вход: выход 1:1 Тип выхода n-канал Напряжение нагрузки, В 5.5…35 Выходной ток (Max), А 1.4 Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом 0.13 Интерфейс on/off...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IR1155STRPBF Корпус SO-8, Частота преобразователя 200 кГц, Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C Режим работы continuous conduction Частота переключения, кГц adj Ток запуска, мкА 175 Напряжение питания, В 12…19 Рабочая температура, °C -25…+125...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IR1168SPBF Вес, г 0.15
Описание IR2010PBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого...
Описание IR2101PBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого...
Описание IR2103STRPBF Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…20 Логическое напряжение (VIL), В 0.8 Логическое...
Показать еще 64 товара