Микросхемы памяти

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание M48Z08-100PC1 • Integrated, ultralow power SRAM and power fail control circuit • READ cycle time equals WRITE cycle time • Automatic power-fail chip deselect and WRITE protection • Pin and function compatible with JEDEC standard 8K x 8 SRAMs Серия m48z Тип памяти...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание M93C46-WMN6P Electrically Erasable PROM Serial Microwire, STMicroelectronics Серия m93c Тип памяти eeprom Объем памяти 1 kбит(128x8, 64x16) Максимальная тактовая частота (скорость) 2 мгц Интерфейс microwire, 3-wire serial Напряжение питания, В 2.5…5.5...
Описание M93C46-WMN6TP Серия m93c Тип памяти eeprom Объем памяти 1 kбит(128x8, 64x16) Максимальная тактовая частота (скорость) 2 мгц Интерфейс microwire, 3-wire serial Напряжение питания, В 2.5…5.5 Рабочая температура, °C -40…+85 Корпус soic-8(3.9мм)...
Цена: по запросу
Описание M93C56-WMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: Microwire; Объём: 2 кбит; Организация: 256x8 or 128x16; Скорость: 2MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс Microwire, Объём памяти 2 кбит,...
Описание M93C66-WMN6P • Industry standard MICROWIRE bus • Dual organization by word (x16) or byte (x8) • Programming instructions that work on byte, word or entire memory • 5ms Self-timed programming cycle with auto-erase • READY/BUSY signal during programming • 2MHz Clock rate •...
Описание M93C66-WMN6TP Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс Microwire, Объём памяти 4 кбит, Напряжение питания, min 2.5 В, Напряжение питания, max 5.5 В Серия m93c Тип памяти eeprom Объем памяти 4 kбит(512x8, 256x16) Максимальная тактовая частота...
Описание M93C76-WMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: Microwire; Объём: 8 кбит; Организация: 1Kx8 or 512x16; Скорость: 2MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс Microwire, Объём памяти 8 кбит, Напряжение...
Описание M93C86-WMN6P • Industry standard MICROWIRE bus • Dual organization - By word (x16) or byte (x8) • Programming instructions that work on - byte, word or entire memory • 5ms Self-timed programming cycle with auto-erase • READY/BUSY signal during programming • Sequential read...
Описание M93S46-WMN6P The M93S46-WMN6P is a 1kb Serial Access Electrically Erasable Programmable Memory (EEPROM) with block protection. It is organized as 64, 128 or 256 words (one word is 16 bits), accessed through the MICROWIRE bus. It can operate with a supply voltage from 2.5 to 5.5V....
Описание M93S56-WMN6P Серия m93s Тип памяти eeprom Объем памяти 2 kбит(128x16) Максимальная тактовая частота (скорость) 2 мгц Интерфейс microwire, 3-wire serial Напряжение питания, В 2.5…5.5 Рабочая температура, °C -40…+85 Корпус soic-8(3.9мм) Напряжение...
Цена: по запросу
Описание M95040-WMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 4 кбит; Организация: 512x8; Скорость: 10MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 4 кбит, Напряжение питания, min 2.5 В,...
Описание M95080-WMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 8 кбит; Организация: 1Kx8; Скорость: 10MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 8 кбит, Напряжение питания, min 2.5 В,...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание M95128-WMN6P Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 128 кбит; Организация: 16Kx8; Скорость: 5MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 128 кбит, Напряжение питания, min 2.5...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание M95160-RMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 16 кбит; Организация: 2Kx8; Скорость: 5MHz; Напряжение: 1.8...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 16 кбит, Напряжение питания, min 1.8 В,...
Описание M95160-WMN6P M95160-WMN6P является EEPROM 16Кбит (2К x 8 бит) с SPI шиной в 8-выводном корпусе SOIC. Устройство может работать в диапазоне напряжения питания от 2.5В до 5.5В. • Совместимость с SPI шиной • Тактовая частота 100МГц • Защита от записи для 1/4, 1/2 или целого...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание M95256-WMN6P Electrically Erasable PROM Serial SPI, STMicroelectronics Серия m95 Тип памяти eeprom Объем памяти 256 kбит(32k x 8) Максимальная тактовая частота (скорость) 10 мгц Интерфейс spi serial Напряжение питания, В 2.5…5.5 Рабочая температура,...
Описание M95320-RDW6TP Серия m95 Тип памяти eeprom Объем памяти 32 kбит(4k x 8) Максимальная тактовая частота (скорость) 5 мгц Интерфейс spi serial Напряжение питания, В 1.8…5.5 в Рабочая температура, °C -40…+85 гр.c Корпус tssop-8(0.173, 4.40мм) Напряжение...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание M95640-WDW6TP Энергонезависимая память - [TSSOP-8]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 64 кбит; Организация: 8Kx8; Скорость: 10MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус TSSOP-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 64 кбит, Напряжение питания, min 2.5...
Цена: по запросу
Описание M95640-WMN6P Серия m95 Тип памяти eeprom Объем памяти 64 kбит(8k x 8) Максимальная тактовая частота (скорость) 10 мгц Интерфейс spi serial Напряжение питания, В 2.5…5.5 Рабочая температура, °C -40…+85 Корпус soic-8(3.9мм) Напряжение питания...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров