Микросхемы памяти

Описание M93C66-WMN6P • Industry standard MICROWIRE bus • Dual organization by word (x16) or byte (x8) • Programming instructions that work on byte, word or entire memory • 5ms Self-timed programming cycle with auto-erase • READY/BUSY signal during programming • 2MHz Clock rate •...
Описание M93C66-WMN6TP Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс Microwire, Объём памяти 4 кбит, Напряжение питания, min 2.5 В, Напряжение питания, max 5.5 В Серия m93c Тип памяти eeprom Объем памяти 4 kбит(512x8, 256x16) Максимальная тактовая частота...
Описание M93C76-WMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: Microwire; Объём: 8 кбит; Организация: 1Kx8 or 512x16; Скорость: 2MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс Microwire, Объём памяти 8 кбит, Напряжение...
Описание M93C86-WMN6P • Industry standard MICROWIRE bus • Dual organization - By word (x16) or byte (x8) • Programming instructions that work on - byte, word or entire memory • 5ms Self-timed programming cycle with auto-erase • READY/BUSY signal during programming • Sequential read...
Описание M93S46-WMN6P The M93S46-WMN6P is a 1kb Serial Access Electrically Erasable Programmable Memory (EEPROM) with block protection. It is organized as 64, 128 or 256 words (one word is 16 bits), accessed through the MICROWIRE bus. It can operate with a supply voltage from 2.5 to 5.5V....
Описание M93S56-WMN6P Серия m93s Тип памяти eeprom Объем памяти 2 kбит(128x16) Максимальная тактовая частота (скорость) 2 мгц Интерфейс microwire, 3-wire serial Напряжение питания, В 2.5…5.5 Рабочая температура, °C -40…+85 Корпус soic-8(3.9мм) Напряжение...
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров