Москва
 
+7(495)740-30-77

FRAM память

Сортировать по:
От А до Я
20
MB85RS256BPNF-G-JNERE1, сегнетоэлектрическое озу 256кб (32k x 8) шина spi 33мгц 8-soic
MB85RS256BPNF-G-JNERE1, сегнетоэлектрическое озу 256кб (32k x 8) шина spi 33мгц 8-soic
MB85RS256BPNF-G-JNERE1
В наличии
164.31 ₽
 
MB85RS64PNF-G-JNERE1, сегнетоэлектрическое озу 64кбит 20мгц 2,7-3.6в
MB85RS64PNF-G-JNERE1, сегнетоэлектрическое озу 64кбит 20мгц 2,7-3.6в
MB85RS64PNF-G-JNERE1
Цена: по запросу
 
MB85RS64VPNF-G-JNERE1, сегнетоэлектрическое озу 64k шина spi 20мгц 8sop
MB85RS64VPNF-G-JNERE1, сегнетоэлектрическое озу 64k шина spi 20мгц 8sop
MB85RS64VPNF-G-JNERE1
В наличии
95.52 ₽
 
MR25H256CDF, магниторезистивное озу 256кбит шина spi питание 3.3в 8-pin dfn ep лоток
MR25H256CDF, магниторезистивное озу 256кбит шина spi питание 3.3в 8-pin dfn ep лоток
MR25H256CDF
Цена: по запросу
 
MR25H40CDC, сегнетоэлектрическое озу ic 4mb (512k x 8) шина spi 40mhz
MR25H40CDC, сегнетоэлектрическое озу ic 4mb (512k x 8) шина spi 40mhz
MR25H40CDC
Цена: по запросу
 
MR25H40CDF, магниторезистивное озу 4мбит 40мгц 8dfn
MR25H40CDF, магниторезистивное озу 4мбит 40мгц 8dfn
MR25H40CDF
Цена: по запросу
 
MR2A08AMYS35, микросхема памяти mram (магниторезистивная ram) 4 мб (512 к x 8), parallel, 35 нс
MR2A08AMYS35, микросхема памяти mram (магниторезистивная ram) 4 мб (512 к x 8), parallel, 35 нс
MR2A08AMYS35
Цена: по запросу
 
MR4A16BCYS35, магниторезистивное озу 16мбит параллельный интерфейс питание 3.3в 54-pin tsop лоток
MR4A16BCYS35, магниторезистивное озу 16мбит параллельный интерфейс питание 3.3в 54-pin tsop лоток
MR4A16BCYS35
Цена: по запросу
 
MR4A16BCYS35R, fram память
MR4A16BCYS35R, fram память
MR4A16BCYS35R
Цена: по запросу