Описание M95040-WMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 4 кбит; Организация: 512x8; Скорость: 10MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 4 кбит, Напряжение питания, min 2.5 В,...
Описание M95080-WMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 8 кбит; Организация: 1Kx8; Скорость: 10MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 8 кбит, Напряжение питания, min 2.5 В,...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание M95128-WMN6P Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 128 кбит; Организация: 16Kx8; Скорость: 5MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 128 кбит, Напряжение питания, min 2.5...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание M95160-RMN6TP Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: SPI; Объём: 16 кбит; Организация: 2Kx8; Скорость: 5MHz; Напряжение: 1.8...5.5 В Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс SPI, Объём памяти 16 кбит, Напряжение питания, min 1.8 В,...
Описание M95160-WMN6P M95160-WMN6P является EEPROM 16Кбит (2К x 8 бит) с SPI шиной в 8-выводном корпусе SOIC. Устройство может работать в диапазоне напряжения питания от 2.5В до 5.5В. • Совместимость с SPI шиной • Тактовая частота 100МГц • Защита от записи для 1/4, 1/2 или целого...
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров