Драйверы и ключи

Цена: по запросу
Описание IPS511GTR Тип Общего Назначения Конфигурация High Side Количество выходов 1 Соотношение - вход: выход 1:1 Тип выхода n-канал Напряжение нагрузки, В 5.5…35 Выходной ток (Max), А 1.4 Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом 0.13 Интерфейс on/off...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IR2010PBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого...
Описание IR2101PBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого...
Описание IR2103STRPBF Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…20 Логическое напряжение (VIL), В 0.8 Логическое...
Описание IR2132SPBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible...
Описание IR2133JPBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IR2136PBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible signal...
Описание IR2151PBF Конфигурация half-bridge Тип канала синхронный Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…20 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.125 Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.25 Тип входа RC...
Показать еще 64 товара