Драйверы MOSFET, IGBT

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRS2110PBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRS2113STRPBF Вес, г 0.8
Цена: по запросу
Описание IRS21531DSPBF PWM (Pulse Width Modulation) - FF (Fixed Frequency) ICs, Infineon Конфигурация half-bridge Тип канала синхронный Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А...
Цена: по запросу
Описание IRS2181SPBF MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations. Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
В наличии
77.34 
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRS2453DSPBF HID (High Intensity Discharge) Ballast Control ICs, Infineon Конфигурация full-bridge Тип канала синхронный Кол-во каналов 1 Тип управляемого затвора N-CH MOSFET Напряжение питания, В 10…15.6 Логическое напряжение (VIL), В 1.7 Логическое...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IX4427N Конфигурация Low-Side Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В 4.5…30 Логическое напряжение (VIL), В 0.8 Логическое напряжение (VIH), В 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание L6384ED Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400 мА,...
Цена: по запросу
Описание L6386ED Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровней Характеристики: Корпус: SO-14; Кол-во нижних каналов: 1; Кол-во верхних каналов: 1; Максимальное напряжение смещения: 600 В; Максимальный выходной ток нарастания: 400 мА; Максимальный выходной ток спада:...
Описание L6388ED Конфигурация half-bridge Тип канала независимый Кол-во каналов 2 Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В 17 (Max) Логическое напряжение (VIL), В 1.1 Логическое напряжение (VIH), В 1.8 Пиковый выходной ток нарастания...
Описание L6388ED013TR Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Траб: -45...125 °C Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400...
Показать еще 128 товаров