Индуктивные компоненты

MLG0603P8N2HT, чип-индуктивность серия mlg 0,0082мкгн 250ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603PR10JT, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 100нгн ±5% 300мгц 9q-фактор керамика 80ма 4.5ом

Цена: по запросу

MLG0603S39NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 39нгн ±5% 100мгц 6q-фактор керамика 50ма 2ом 0

Цена: по запросу

MLG0603SR18JT, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 180нгн ±5% 100мгц 5q-фактор керамика 50ма 8.5ом

Цена: по запросу

MLG1005S0N4CT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S0N6BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0006мкгн±0.1нгн 100мгц керамика 1a 0.1ом 0402

Цена: по запросу

MLG1005S10NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 0.5a 0.35ом

Цена: по запросу

MLG1005S12NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 12нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 400ма 400мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S12NJT 12nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 400mOhm Max 0402 (1005 Metric) Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.012 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.4 Добротность,Q 8 Рабочая...

MLG1005S15NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 15нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 400ма 550мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S15NJT 15nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 550mOhm Max 0402 (1005 Metric) Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.015 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.55 Добротность,Q 8 Рабочая...

MLG1005S16NJT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S18NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 18нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 350ма 600мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S18NJT Катушки постоянной индуктивности .018 UH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.018 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.6 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S1N0BT, чип-индуктивность серия mlg 1нгн 1000ма ±0.1нгн

Цена: по запросу

MLG1005S1N3BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0013мкгн±0.1нгн 100мгц 7q-фактор керамика 1a 0.1ом

Цена: по запросу

MLG1005S1N6ST, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 1.6нгн 0.3нгн 100мгц 7q-фактор керамика 1a 120мом

Цена: по запросу

MLG1005S20NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.02мкгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 0.35a 0.6ом

Цена: по запросу

MLG1005S22NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 22нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 350ма 700мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S22NJT Катушки постоянной индуктивности 22 NH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.022 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.7 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S27NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 27нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 300ма 800мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S27NJT Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.027 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.8 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 1 Диаметр...

MLG1005S27NJT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S2N0BT, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкгн 0.1нгн 100мгц 7q-фактор керамика 0.9a

Цена: по запросу

MLG1005S2N0CT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкгн±0.2нгн 100мгц 7q-фактор керамика 0.9a 0.15

Цена: по запросу

MLG1005S2N4BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкгн±0.1нгн 100мгц 7q-фактор керамика 0.8a 0.1

Цена: по запросу

MLG1005S2N4BTD25, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкгн 0.1нгн 100мгц 7q-фактор керамика 0.8a автомобильного применения л...

Цена: по запросу

MLG1005S33NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 0.3a 0.9ом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S33NJT Катушки постоянной индуктивности 33 NH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.033 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.9 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S3N6BT000, чип-индуктивность высокочастотная 0402 3.6нгн

Цена: по запросу

MLG1005S3N9BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкгн±0.1нгн 100мгц 8q-фактор керамика 0.7a 0.2

Цена: по запросу

MLG1005S3N9BT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S47NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 47нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 250ма 1.2ом

Цена: по запросу

MLG1005S47NJT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S4N3ST, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 4.3нгн 0.3нгн 100мгц 8q-фактор керамика 700ма 200мом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S4N3ST Катушки постоянной индуктивности 4.3nH Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.0043 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.2 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 1 Диаметр...

MLG1005S4N7ST, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 4.7нгн 0.3нгн 100мгц 8q-фактор керамика 700ма 250мом

Цена: по запросу

MLG1005S51NJT, чип-индуктивность силовая неэкранированная серия mlg1005s 0402 51 нгн 250 ма 1.2ом по постоянному току

Цена: по запросу

MLG1005S51NJTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 51нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 250ма 1.2ом

Цена: по запросу

MLG1005S5N6ST, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0056мкгн±0.3нгн 100мгц 8q-фактор керамика 0.6a 0.2

Цена: по запросу

MLG1005S68NHT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.068мкгн 3% 100мгц 8q-фактор керамика 0.2a 1.5ом

Цена: по запросу

MLG1005S68NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 68нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 200ма 1.5ом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S68NJT Катушки постоянной индуктивности 68 NH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.068 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 1.5 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S6N2ST, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 6.2нгн 0.3нгн 100мгц 8q-фактор керамика 600ма 250мом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S6N2ST Катушки постоянной индуктивности IND 0402 6.2nH StdQ SMD RF IND Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.0062 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина...

MLG1005S6N8HT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкгн 3% 100мгц 8q-фактор керамика 0.6a 0.25ом

Цена: по запросу

MLG1005S6N8JT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 6.8нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 600ма 250мом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S6N8JT Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.0068 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 1 Диаметр...

MLG1005S7N5JT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 7.5нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 500ма 250мом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S7N5JT Катушки постоянной индуктивности 7.5 NH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.0075 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...