Индуктивные компоненты

MLZ2012DR10DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 100нгн ±20% 25мгц феррит 1.15a 91мом по постоянному току 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012DR10DT

Описание MLZ2012DR10DT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Вес брутто0.05 г Код товара382313

3.58 ₽

MLZ2012DR22DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 220нгн ±20% 25мгц феррит 900ма 169мом по постоянному току 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012DR22DT

Код товара382314 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 220nH 20% 25MHz Ferrite 900mA 169mOhm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 220нГн ±20% 25МГц феррит 900мА 169мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012DR47DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 470нгн ±20% 25мгц феррит 700ма 234мом по постоянному току 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012DR47DT

Описание MLZ2012DR47DT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Код товара382315 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 470nH 20% 25MHz Ferrite 700mA 234mOhm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 470нГн ±20% 25МГц феррит 700мА 234мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M100HT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.3a 0.884ом 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M100HT

Описание MLZ2012M100HT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Вес брутто0.01 г Допуск±20%

Цена: по запросу

MLZ2012M100HTD25, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.3a 0.884ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента на катушке

КОД: MLZ2012M100HTD25

Код товара424575 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 10uH 20% 2MHz Ferrite 0.3A 0.884Ohm DCR 0805 Automotive T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 0.3A 0.884Ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M100WT, smd decoupling inductor 0805 l=10uh, i=150ma, rdc=0.47 ohms

КОД: MLZ2012M100WT

Вес брутто0.05 г Код товара151109

Цена: по запросу

MLZ2012M100WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.35a 0.611ом по постоянному току 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M100WT

Описание MLZ2012M100WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Вес брутто0.03 г Допуск±20%

3.38 ₽

В наличии

MLZ2012M100WTD25, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 350ма 611мом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента на катушке

КОД: MLZ2012M100WTD25

Вес брутто0.05 г Код товара424766

Цена: по запросу

MLZ2012M100WTD25, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 350ма 611мом 0805 автомобильного применения лента на катушке

КОД: MLZ2012M100WTD25

Код товара415502 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 10uH 20% 2MHz Ferrite 350mA 611mOhm DCR 0805 Automotive T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 350мА 611мОм 0805 автомобильного применения лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M150WT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 15мкгн ±20% 2мгц феррит 0.25a 1.235ом 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M150WT

Описание MLZ2012M150WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Вес брутто0.03 г Допуск±20%

4.16 ₽

В наличии

MLZ2012M1R0HT

КОД: MLZ2012M1R0HT

Код товара383998 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 2MHz Ferrite 0.8A 0.13Ohm DCR 0805 T/R

Цена: по запросу

MLZ2012M1R0HT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 0.8a 0.13ом 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M1R0HT

Вес брутто0.03 г Допуск±20%

3.60 ₽

В наличии

MLZ2012M1R5HT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1.5мкгн ±20% 2мгц феррит 700ма 182мом 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M1R5HT

Описание MLZ2012M1R5HT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Допуск±20% Индуктивность1.5µH

Цена: по запросу

MLZ2012M220WT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 22мкгн ±20% 2мгц феррит 220ма 2.6ом 0805

КОД: MLZ2012M220WT

Описание MLZ2012M220WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Допуск±20% Индуктивность22µH

Цена: по запросу

MLZ2012M2R2HT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

КОД: MLZ2012M2R2HT

Код товара383999 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 2MHz Ferrite 0.6A 0.208Ohm DCR 0805 T/R

Цена: по запросу

MLZ2012M2R2HT, чип-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 0.6a 0.208ом по постоянному току 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M2R2HT

Допуск±20% Индуктивность2.2µH

Цена: по запросу

MLZ2012M330WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 33мкгн ±20% 2мгц феррит 190ма 3.38ом по постоянному току 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M330WT

Описание MLZ2012M330WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Код товара409041 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 33uH 20% 2MHz Ferrite 190mA 3.38Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 33мкГн ±20% 2МГц феррит 190мА 3.38Ом по постоянному току 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M3R3ATD69, чип-индуктивность многослойная экранированная 3.3мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.26ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента на катушке

КОД: MLZ2012M3R3ATD69

Код товара415503 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 3.3uH 20% 2MHz Ferrite 0.5A 0.26Ohm DCR 0805 Automotive T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 3.3мкГн ±20% 2МГц феррит 0.5A 0.26Ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M3R3HT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 3.3мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.26ом 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M3R3HT

Код товара384000 Краткое описаниеInductor Power Shielded Multi-Layer 3.3uH 20% 2MHz Ferrite 0.5A 0.26Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 3.3мкГн ±20% 2МГц феррит 0.5A 0.26Ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M470WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 47мкгн ±20% 2мгц феррит 0.17a 4.81ом по постоянному току 0805 лента на катушке

КОД: MLZ2012M470WT

Описание MLZ2012M470WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

Вес брутто0.04 г Индуктивность47µH

4.07 ₽

В наличии