Индуктивные компоненты :: Дроссели, индуктивности

MLZ2012M100WT, smd decoupling inductor 0805 l=10uh, i=150ma, rdc=0.47 ohms

Цена: по запросу

MLZ2012M100WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.35a 0.611ом по постоянному току 0805 лента на катушке

В наличии

£0.03

Описание MLZ2012M100WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ2012M100WTD25, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 350ма 611мом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента...

Цена: по запросу

MLZ2012M100WTD25, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 350ма 611мом 0805 автомобильного применения лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M150WT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 15мкгн ±20% 2мгц феррит 0.25a 1.235ом 0805 лента на катушке

В наличии

£0.04

Описание MLZ2012M150WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ2012M1R0HT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 0.8a 0.13ом 0805 лента на катушке

В наличии

£0.03

MLZ2012M1R5HT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1.5мкгн ±20% 2мгц феррит 700ма 182мом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLZ2012M1R5HT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ2012M220WT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 22мкгн ±20% 2мгц феррит 220ма 2.6ом 0805

Цена: по запросу

Описание MLZ2012M220WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ2012M2R2HT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLZ2012M2R2HT, чип-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 0.6a 0.208ом по постоянному току 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M330WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 33мкгн ±20% 2мгц феррит 190ма 3.38ом по постоянному току 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLZ2012M330WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ2012M3R3ATD69, чип-индуктивность многослойная экранированная 3.3мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.26ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента...

Цена: по запросу

MLZ2012M3R3HT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 3.3мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.26ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M470WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 47мкгн ±20% 2мгц феррит 0.17a 4.81ом по постоянному току 0805 лента на катушке

В наличии

£0.04

Описание MLZ2012M470WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ2012M470WTD25, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLZ2012M470WTD25, чип-индуктивность многослойная экранированная 47мкгн ±20% 2мгц феррит 0.17a 4.81ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента...

Цена: по запросу

MLZ2012M4R7HT, чип-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкгн ±20% 2мгц феррит 400ма 442мом по постоянному току 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M4R7WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкгн ±20% 2мгц феррит 500ма 390мом по постоянному току 0805 лента на катушке

В наличии

£0.03

Описание MLZ2012M4R7WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ2012M6R8HT, чип-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкгн ±20% 2мгц феррит 350ма 520мом по постоянному току 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ2012M6R8WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкгн ±20% 2мгц феррит 400ма 520мом по постоянному току 0805 лента на катушке

В наличии

£0.03

Описание MLZ2012M6R8WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...