Индуктивные компоненты :: Дроссели, индуктивности

MLP2016S1R0MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 1.4a 117мом 0806 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2016S2R2MT0S1, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLP2016S2R2MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 1.2a 0.143ом 0806 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2016SR47MT0S1, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlp 0806 0.47 мкгн ±20 % 1.6 a

Цена: по запросу

MLP2520S100ST, чип-индуктивность силовая 1008 10мкгн, 700ма, по постоянному току 280мом

8.25 ₽

MLP2520S1R0ST, чип-индуктивность силовая 1008 1мкгн, 1500ма, по постоянному току 80мом

В наличии

5.84 ₽

MLP2520S1R5MT0S1, smd дроссель 1008 1.5uh 90mohms 1.2a

Цена: по запросу

MLP2520S2R2MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 1.2a 117мом 1008 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2520S2R2ST, чип-индуктивность силовая 1008 2.2мкгн, 1200ма, по постоянному току 110мом

Цена: по запросу

MLP2520S3R3ST, чип-индуктивность силовая 1008 3.3мкгн, 1000ма, по постоянному току 110мом

Цена: по запросу

MLP2520S3R3ST0S1, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLP2520S4R7ST, чип-индуктивность силовая 1008 4.7мкгн, 1000ма, по постоянному току 110мом

Цена: по запросу

MLP2520W1R5MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1.5мкгн ±20% 2мгц феррит 1.8a 0.098ом 1008 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ1005M1R0WT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 0.45a 0.455ом 0402 лента на катушке

3.48 ₽

MLZ1005M2R2WT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 0.35a 0.715ом 0402 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ1608A1R0WT, чип-индуктивность 1мкгн, ±20%, 170мгц

Цена: по запросу

Описание MLZ1608A1R0WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ1608A2R2WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 10мгц 0.13а 0.325ом 0603 лента на катушке

В наличии

2.53 ₽

Описание MLZ1608A2R2WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ1608DR10DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 100нгн ±20% 25мгц феррит 850ма 182мом по постоянному току 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLZ1608DR10DT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ1608DR22DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 220нгн ±20% 25мгц феррит 600ма 351мом по постоянному току 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLZ1608DR22DT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ1608DR47DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 470нгн ±20% 25мгц феррит 500ма 546мом по постоянному току 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLZ1608DR47DT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...