Индуктивные компоненты :: Дроссели, индуктивности

MLF2012DR47JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.47мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.5ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012DR47KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 470нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 200ма 500мом 0805 автомобильного применения

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR47KT Катушки постоянной индуктивности .47 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.47 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.5 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012DR47KTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.47мкгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.5ом 0805 автомобильного применения

Цена: по запросу

MLF2012DR56JT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLF2012DR56JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.55ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012DR56KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.55ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR56KT TDK 0805 MLF2012 Series Magnetically Screened Inductors Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.56 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.55 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С...

MLF2012DR68JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.68мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.6ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012DR68KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 680нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 150ма 600мом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR68KT 680nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 600mOhm Max 0805 (2012 Metric) Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.68 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.6 Добротность,Q 25 Рабочая...