Индуктивные компоненты :: Дроссели, индуктивности :: Индуктивности и дроссели SMD-исполнения

MLG1005S6N8HT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкгн 3% 100мгц 8q-фактор керамика 0.6a 0.25ом

Цена: по запросу

MLG1005S6N8JT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 6.8нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 600ма 250мом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S6N8JT Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.0068 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 1 Диаметр...

MLG1005S7N5JT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 7.5нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 500ма 250мом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S7N5JT Катушки постоянной индуктивности 7.5 NH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.0075 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S82NHTD25, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.082мкгн ±3% 100мгц 8q-фактор керамика 0.2a 1.6ом

Цена: по запросу

MLG1005S9N1JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0091мкгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 0.5a 0.3ом

Цена: по запросу

MLG1005SR10JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.1мкгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 0.2a 2ом

Цена: по запросу

MLG1005SR15JT, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 150нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 150ма 3.5ом

Цена: по запросу

MLG1005SR18JT, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 180нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 150ма 3.8ом

Цена: по запросу

MLG1005SR39JT000, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.39мкгн ±5% 50мгц 6q-фактор керамика 0.05a 8ом по постоянному току

Цена: по запросу

MLG1608B33NJT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLJ1608WR16JT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.16мкгн ±5% 25мгц 15q-фактор феррит 0.7a 0.16ом 0603 лента на катушке

£0.08

MLJ1608WR22JT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.22мкгн ±5% 25мгц 15q-фактор феррит 0.6a 0.26ом 0603 лента на катушке

£0.09

MLJ1608WR27JT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.27мкгн ±5% 25мгц 15q-фактор феррит 0.55a 0.29ом 0603 лента на катушке

£0.09

MLJ1608WR33JT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.33мкгн ±5% 25мгц 15q-фактор феррит 0.5a 0.32ом 0603 лента на катушке

£0.09

MLJ1608WR39JT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.39мкгн ±5% 25мгц 15q-фактор феррит 0.45a 0.37ом 0603 лента на катушке

£0.09

MLJ1608WR56JT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.56мкгн ±5% 25мгц 15q-фактор феррит 0.4a 0.52ом 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

MLK0603L10NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкгн ±5% 100мгц 6q-фактор керамика 0.2a 0.8ом по постоянному току 0201 лен...

Цена: по запросу

MLK0603L12NJT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLK0603L3N0ST, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLK1005S10NJT, чип-индуктивность неэкранированная многослойная серия mlk 0402 10 нгн 350 ма 420мом

Цена: по запросу

MLK1005S12NJT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLK1005S15NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.015мкгн ±5% 100мгц 7q-фактор керамика 0.3a 0.5ом 0402 лента на катушке

Цена: по запросу

MLK1005S18NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.018мкгн ±5% 100мгц 7q-фактор керамика 0.25a 0.6ом 0402 лента на катушке

Цена: по запросу

MLK1005S1N2ST, чип-индуктивность сверхвысокочастотная многослойная серия mlk series 0402 1.2 нгн ±0.3 нгн 500 ма

Цена: по запросу

MLK1005S1N8ST, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 1.8нгн 0.3нгн 100мгц 6q-фактор керамика 500ма 170мом по постоянному току 0402

Цена: по запросу

MLK1005S27NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.027мкгн ±5% 100мгц 7q-фактор керамика 0.2a 0.8ом по постоянному току 0402 ле...

Цена: по запросу

MLK1005S2N0ST, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкгн 0.3нгн 100мгц 6q-фактор керамика 0.5a 0.18ом по постоянному току 0402

Цена: по запросу

MLK1005S2N2ST, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкгн±0.3нгн 100мгц 6q-фактор керамика 0.5a 0.18ом

Цена: по запросу

MLK1005S2N7ST, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0027мкгн±0.3нгн 100мгц 6q-фактор керамика 0.5a 0.2ом 0402

Цена: по запросу

MLK1005S3N3ST, чип-индуктивность 3.3нгн, 7ггц, 0402

Цена: по запросу

MLK1005S4N7ST, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLK1005S56NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.056мкгн ±5% 100мгц 6q-фактор керамика 0.2a 1.3ом по постоянному току 0402 ле...

Цена: по запросу

MLK1005S56NJTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.056мкгн ±5% 100мгц 6q-фактор керамика 0.2a 1.3ом по постоянному току 0402...

Цена: по запросу

MLK1005S6N8JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0068мкгн ±5% 100мгц 7q-фактор керамика 0.4a 0.35ом 0402 лента на катушке

Цена: по запросу

MLK1005S82NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.082мкгн ±5% 100мгц 6q-фактор керамика 0.15a 1.8ом по постоянному току 0402 л...

Цена: по запросу

MLK1005SR10JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 100нгн ±5% 100мгц 6q-фактор керамика 100ма 2.2ом 0402 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP1608V1R0BT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 0.7a 0.39ом 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP1608V2R2BT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLP1608V2R2BT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 0.6a 0.468ом 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2012S1R0MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 1a 0.208ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2012S2R2MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 800ма 299мом 0805

Цена: по запросу

MLP2012S4R7MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 4.7мкгн ±20% 2мгц феррит 0.7a 0.338ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2012V1R0TT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLP2012V1R0TT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 0.7a 0.338ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2016S1R0MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 1.4a 117мом 0806 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2016S2R2MT0S1, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLP2016S2R2MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 1.2a 0.143ом 0806 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2016SR47MT0S1, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlp 0806 0.47 мкгн ±20 % 1.6 a

Цена: по запросу

MLP2520S100ST, чип-индуктивность силовая 1008 10мкгн, 700ма, по постоянному току 280мом

£0.07

MLP2520S1R0ST, чип-индуктивность силовая 1008 1мкгн, 1500ма, по постоянному току 80мом

В наличии

£0.05

MLP2520S1R5MT0S1, smd дроссель 1008 1.5uh 90mohms 1.2a

Цена: по запросу

MLP2520S2R2MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 1.2a 117мом 1008 лента на катушке

Цена: по запросу

MLP2520S2R2ST, чип-индуктивность силовая 1008 2.2мкгн, 1200ма, по постоянному току 110мом

Цена: по запросу

MLP2520S3R3ST, чип-индуктивность силовая 1008 3.3мкгн, 1000ма, по постоянному току 110мом

Цена: по запросу

MLP2520S3R3ST0S1, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLP2520S4R7ST, чип-индуктивность силовая 1008 4.7мкгн, 1000ма, по постоянному току 110мом

Цена: по запросу

MLP2520W1R5MT0S1, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1.5мкгн ±20% 2мгц феррит 1.8a 0.098ом 1008 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ1005M1R0WT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 0.45a 0.455ом 0402 лента на катушке

£0.03

MLZ1005M2R2WT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 0.35a 0.715ом 0402 лента на катушке

Цена: по запросу

MLZ1608A1R0WT, чип-индуктивность 1мкгн, ±20%, 170мгц

Цена: по запросу

Описание MLZ1608A1R0WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ1608A2R2WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 10мгц 0.13а 0.325ом 0603 лента на катушке

В наличии

£0.02

Описание MLZ1608A2R2WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ1608DR10DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 100нгн ±20% 25мгц феррит 850ма 182мом по постоянному току 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLZ1608DR10DT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ1608DR22DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 220нгн ±20% 25мгц феррит 600ма 351мом по постоянному току 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLZ1608DR22DT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...

MLZ1608DR47DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 470нгн ±20% 25мгц феррит 500ма 546мом по постоянному току 0603 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLZ1608DR47DT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...