Москва
 
+7(495)740-30-77

Индуктивности и дроссели SMD-исполнения

Сортировать по:
От А до Я
64
MLF1608DR22KTA00, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF1608DR27KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 270нгн ±10% 25мгц 15q-фактор феррит 150ма 600мом 0603 автомобильного применения
Цена: по запросу
MLF1608DR47JT000, чип-индуктивность общего применения многослойная экранированная 0.47мкгн ±5% 25мгц 15q-фактор феррит 0.1a 0.95ом по постоянному току
Цена: по запросу
MLF1608DR47KT, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF1608DR47KTA00, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF1608DR56JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 560нгн ±5% 25мгц 15q-фактор феррит 100ма 1.05ом 0603 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF1608DR56KT, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF1608DR56KTA00, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF1608DR82MT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 820нгн ±20% 25мгц 15q-фактор феррит 70ма 1.4ом 0603 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF1608DR82MTA, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF1608E100JT, чип-индуктивность 10мкгн 10ма 1.7ом
Цена: по запросу
MLF1608E100JTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 10мкгн ±5% 2мгц 30q-фактор феррит 10ma
Цена: по запросу
MLF1608E100KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 10мкгн ±10% 2мгц 30q-фактор феррит 10ма 1.7ом 0603 автомобильного применения
€0.04
MLF1608E100KTD, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF1608E120JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 12мкгн ±5% 2мгц 30q-фактор феррит 10ма 1.8ом 0603 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF1608E120JTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 12мкгн ±5% 2мгц 30q-фактор феррит 10ма 1.8ом 0603 автомобильного применения
Цена: по запросу
MLF1608E5R6KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 5.6мкгн ±10% 4мгц 35q-фактор феррит 15ма 1.1ом по постоянному току 0603 лента на...
Цена: по запросу
MLF2012A1R0JT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF2012A1R0KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 1 мкгн ±10 % 80 ма
Цена: по запросу
Описание MLF2012A1R0KT TDK 0805 MLF2012 Series Magnetically Screened Inductors Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 1 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.3 Добротность,Q 45 Рабочая температура,С -55…125...
MLF2012A1R2JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.2мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.08a 0.35ом 0805 лента на катушке
€0.07
MLF2012A1R5JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.5мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.08a 0.4ом 0805 лента на катушке
MLF2012A1R5JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.5мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.08a 0.4ом 0805 лента на катушке
В наличии
€0.07
MLF2012A1R5JTD25, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF2012A1R5KT, индуктивность smd высокочастотная экранированная многослойная 1.5мкгн ±10% 10мгц 45q-фактор феррит 80ма 400мом по постоянному току 0805 лента ...
Цена: по запросу
Описание MLF2012A1R5KT Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 1.5 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.4 Добротность,Q 45 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 2 Диаметр...
MLF2012A1R8JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.8мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.08a 0.45ом 0805 лента на катушке
€0.09
MLF2012A1R8KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 1.8 мкгн ±10 % 80 ма
Цена: по запросу
MLF2012A2R2JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.2мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.05a 0.5ом 0805 лента на катушке
MLF2012A2R2JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.2мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.05a 0.5ом 0805 лента на катушке
В наличии
€0.08
MLF2012A2R2KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 2.2 мкгн ±10 % 50 ма
Цена: по запросу
Описание MLF2012A2R2KT 2.2ВµH Shielded Multilayer Inductor 50mA 500mOhm Max 0805 (2012 Metric) Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 2.2 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.5 Добротность,Q 45 Рабочая...
MLF2012A2R7JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.7мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.05a 0.55ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012A2R7KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.7мкгн ±10% 10мгц 45q-фактор феррит 50ма 550мом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012A3R3JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 3.3мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.05a 0.6ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012A3R3KT, индуктивность smd высокочастотная экранированная многослойная 3.3мкгн ±10% 10мгц 45q-фактор феррит 50ма 600мом по постоянному току 0805 лента ...
Цена: по запросу
Описание MLF2012A3R3KT Катушки постоянной индуктивности 3.3 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 3.3 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.6 Добротность,Q 45 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012A3R9JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 3.9мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.03a 0.65ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012A4R7JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 4.7мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.03a 0.7ом 0805 лента на катушке
€0.09
MLF2012A4R7KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 4.7мкгн ±10% 10мгц 45q-фактор феррит 30ma
Цена: по запросу
Описание MLF2012A4R7KT Катушки постоянной индуктивности 4.7 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 4.7 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.7 Добротность,Q 45 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012C101KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 100мкгн ±10% 1мгц 25q-фактор феррит 0.002a 3.1ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012C150KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 15мкгн ±10% 1мгц 30q-фактор феррит 0.005a 0.7ом 0805 лента на катушке
€0.05
MLF2012C150KT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF2012C180KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 18мкгн ±10% 1мгц 30q-фактор феррит 0.005a 0.8ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012C220KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 22мкгн ±10% 1мгц 30q-фактор феррит 0.005a 0.9ом 0805 лента на катушке
€0.04
MLF2012C270KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 27мкгн ±10% 1мгц 30q-фактор феррит 0.005a 1ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012C330KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 33мкгн ±10% 400кгц 30q-фактор феррит 0.005a 1.1ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012D47NMT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.047мкгн ±20% 50мгц 15q-фактор феррит 0.3a 0.1ом 0805 лента на катушке
€0.06
MLF2012D68NMT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.068мкгн ±20% 50мгц 15q-фактор феррит 0.3a 0.15ом 0805 лента на катушке
€0.06
MLF2012D82NMT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.082мкгн ±20% 50мгц 15q-фактор феррит 0.3a 0.15ом 0805 лента на катушке
€0.06
MLF2012DR10JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.1мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.15ом 0805 лента на катушке
€0.07
MLF2012DR10KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 0.1 мкгн ±10 % 300 ма
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR10KT 100nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 150mOhm Max 0805 (2012 Metric) Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.1 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.15 Добротность,Q 20 Рабочая...
MLF2012DR12JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.2ом 0805 лента на катушке
€0.07
MLF2012DR12KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.2ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR12KT Катушки постоянной индуктивности .12 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.12 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.2 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR15JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.2ом 0805 лента на катушке
€0.07
MLF2012DR15KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 150нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 300ма 200мом 0805 автомобильного применения
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR15KT Катушки постоянной индуктивности 0.15 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.15 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.2 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR18JT, индуктивность и дроссель smd-исполнения
€0.07
MLF2012DR18KT, индуктивность smd
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR18KT Катушки постоянной индуктивности .18 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.18 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR22JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.3ом 0805 лента на катушке
€0.07
MLF2012DR22KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 220нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 250ма 300мом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR22KT Катушки постоянной индуктивности 0.22 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.22 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.3 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR27JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.35ом 0805 лента на катушке
€0.07
MLF2012DR27KT, индуктивность smd высокочастотная экранированная многослойная 270нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 250ма 350мом по постоянному току 0805 лента ...
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR27KT Катушки постоянной индуктивности .27 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.27 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.35 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR33JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.4ом 0805 лента на катушке
€0.07
MLF2012DR33KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 0.33 мкгн ±10 % 250 ма
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR33KT Катушки постоянной индуктивности .33 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.33 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.4 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR39JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.39мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.45ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012DR39KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 390 нгн ±10 % 200 ма
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR39KT Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.39 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.45 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 2 Диаметр...
MLF2012DR47JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.47мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.5ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012DR47KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 470нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 200ма 500мом 0805 автомобильного применения
MLF2012DR47KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 470нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 200ма 500мом 0805 автомобильного применения
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR47KT Катушки постоянной индуктивности .47 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.47 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.5 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR47KTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.47мкгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.5ом 0805 автомобильного применения
Цена: по запросу
MLF2012DR56JT, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара