Индуктивные компоненты :: Дроссели, индуктивности :: Индуктивности и дроссели SMD-исполнения

Описание MLF2012A1R0KT TDK 0805 MLF2012 Series Magnetically Screened Inductors Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 1 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.3 Добротность,Q 45 Рабочая температура,С -55…125...

MLF2012A1R2JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.2мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.08a 0.35ом 0805 лента на катушке

£0.06

MLF2012A1R5JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.5мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.08a 0.4ом 0805 лента на катушке

В наличии

£0.06

MLF2012A1R5JTD25, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLF2012A1R5KT, индуктивность smd высокочастотная экранированная многослойная 1.5мкгн ±10% 10мгц 45q-фактор феррит 80ма 400мом по постоянному току 0805 лента ...

Цена: по запросу

Описание MLF2012A1R5KT Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 1.5 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.4 Добротность,Q 45 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 2 Диаметр...

MLF2012A1R8JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.8мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.08a 0.45ом 0805 лента на катушке

£0.07

MLF2012A1R8KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 1.8 мкгн ±10 % 80 ма

Цена: по запросу

MLF2012A2R2JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.2мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.05a 0.5ом 0805 лента на катушке

В наличии

£0.07

MLF2012A2R2KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 2.2 мкгн ±10 % 50 ма

Цена: по запросу

Описание MLF2012A2R2KT 2.2ВµH Shielded Multilayer Inductor 50mA 500mOhm Max 0805 (2012 Metric) Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 2.2 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.5 Добротность,Q 45 Рабочая...

MLF2012A2R7JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.7мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.05a 0.55ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012A2R7KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.7мкгн ±10% 10мгц 45q-фактор феррит 50ма 550мом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012A3R3JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 3.3мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.05a 0.6ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012A3R3KT, индуктивность smd высокочастотная экранированная многослойная 3.3мкгн ±10% 10мгц 45q-фактор феррит 50ма 600мом по постоянному току 0805 лента ...

Цена: по запросу

Описание MLF2012A3R3KT Катушки постоянной индуктивности 3.3 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 3.3 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.6 Добротность,Q 45 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012A3R9JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 3.9мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.03a 0.65ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012A4R7JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 4.7мкгн ±5% 10мгц 45q-фактор феррит 0.03a 0.7ом 0805 лента на катушке

£0.08

MLF2012A4R7KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 4.7мкгн ±10% 10мгц 45q-фактор феррит 30ma

Цена: по запросу

Описание MLF2012A4R7KT Катушки постоянной индуктивности 4.7 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 4.7 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.7 Добротность,Q 45 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012C101KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 100мкгн ±10% 1мгц 25q-фактор феррит 0.002a 3.1ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012C150KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 15мкгн ±10% 1мгц 30q-фактор феррит 0.005a 0.7ом 0805 лента на катушке

£0.05

MLF2012C150KT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLF2012C180KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 18мкгн ±10% 1мгц 30q-фактор феррит 0.005a 0.8ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012C220KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 22мкгн ±10% 1мгц 30q-фактор феррит 0.005a 0.9ом 0805 лента на катушке

£0.03

MLF2012C270KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 27мкгн ±10% 1мгц 30q-фактор феррит 0.005a 1ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012C330KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 33мкгн ±10% 400кгц 30q-фактор феррит 0.005a 1.1ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012D47NMT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.047мкгн ±20% 50мгц 15q-фактор феррит 0.3a 0.1ом 0805 лента на катушке

£0.05

MLF2012D68NMT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.068мкгн ±20% 50мгц 15q-фактор феррит 0.3a 0.15ом 0805 лента на катушке

£0.05

MLF2012D82NMT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.082мкгн ±20% 50мгц 15q-фактор феррит 0.3a 0.15ом 0805 лента на катушке

£0.05

MLF2012DR10JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.1мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.15ом 0805 лента на катушке

£0.06

MLF2012DR10KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 0.1 мкгн ±10 % 300 ма

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR10KT 100nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 150mOhm Max 0805 (2012 Metric) Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.1 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.15 Добротность,Q 20 Рабочая...

MLF2012DR12JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.2ом 0805 лента на катушке

£0.06

MLF2012DR12KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.2ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR12KT Катушки постоянной индуктивности .12 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.12 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.2 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012DR15JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.2ом 0805 лента на катушке

£0.06

MLF2012DR15KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 150нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 300ма 200мом 0805 автомобильного применения

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR15KT Катушки постоянной индуктивности 0.15 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.15 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.2 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012DR18JT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

£0.06

MLF2012DR18KT, индуктивность smd

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR18KT Катушки постоянной индуктивности .18 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.18 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012DR22JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.3ом 0805 лента на катушке

£0.06

MLF2012DR22KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 220нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 250ма 300мом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR22KT Катушки постоянной индуктивности 0.22 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.22 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.3 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012DR27JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.35ом 0805 лента на катушке

£0.06

MLF2012DR27KT, индуктивность smd высокочастотная экранированная многослойная 270нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 250ма 350мом по постоянному току 0805 лента ...

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR27KT Катушки постоянной индуктивности .27 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.27 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.35 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012DR33JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.4ом 0805 лента на катушке

£0.06

MLF2012DR33KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 0.33 мкгн ±10 % 250 ма

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR33KT Катушки постоянной индуктивности .33 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.33 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.4 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012DR39JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.39мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.45ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012DR39KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 390 нгн ±10 % 200 ма

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR39KT Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.39 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.45 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 2 Диаметр...

MLF2012DR47JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.47мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.5ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012DR47KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 470нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 200ма 500мом 0805 автомобильного применения

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR47KT Катушки постоянной индуктивности .47 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.47 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.5 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLF2012DR47KTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.47мкгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.5ом 0805 автомобильного применения

Цена: по запросу

MLF2012DR56JT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLF2012DR56JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.55ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012DR56KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.55ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR56KT TDK 0805 MLF2012 Series Magnetically Screened Inductors Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.56 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.55 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С...

MLF2012DR68JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.68мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.6ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012DR68KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 680нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 150ма 600мом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

Описание MLF2012DR68KT 680nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 600mOhm Max 0805 (2012 Metric) Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.68 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.6 Добротность,Q 25 Рабочая...

MLF2012DR82JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.82мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.65ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012E120JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 12мкгн ±5% 2мгц 50q-фактор феррит 0.015a 0.9ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012E120KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 12мкгн ±10% 2мгц 50q-фактор феррит 0.015a 0.9ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012E5R6JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 5.6мкгн ±5% 4мгц 50q-фактор феррит 0.015a 0.6ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012E5R6KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 5.6 мкгн ±10 % 15 ма

Цена: по запросу

MLF2012E6R8JT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLF2012E6R8KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 6.8 мкгн ±10 % 15 ма

Цена: по запросу

MLF2012E8R2JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 8.2мкгн ±5% 4мгц 50q-фактор феррит 0.015a 0.7ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012E8R2KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 8.2мкгн ±10% 4мгц 50q-фактор феррит 0.015a 0.7ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLF2012K470KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 47мкгн ±10% 2мгц 35q-фактор феррит 4ма 2.7ом 0805 лента на катушке

Цена: по запросу

MLG0603P10NHT, чип-индуктивность серия mlg 0,01мкгн 250ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P12NHT, чип-индуктивность серия mlg 0,012мкгн 250ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P15NHT, чип-индуктивность серия mlg 0,015мкгн 250ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P18NHT, чип-индуктивность серия mlg 0,018мкгн 200ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P1N0BT, чип-индуктивность 1нгн 1a 70мом

Цена: по запросу

MLG0603P22NHT, чип-индуктивность серия mlg 22нгн 150ма

Цена: по запросу

MLG0603P33NHT, чип-индуктивность серия mlg 0,033мкгн 130ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P3N3BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 3.3нгн±0.1нгн 500мгц 14q-фактор керамика 450ма 20ом

Цена: по запросу

MLG0603P4N3HT, чип-индуктивность серия mlg 0,0043мкгн 350ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P4N7HT, чип-индуктивность серия mlg 0,0047мкгн 350ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P56NHT, чип-индуктивность серия mlg 0,056мкгн 100ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P5N6HT, чип-индуктивность серия mlg 0,0056мкгн 350ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P6N8HT, чип-индуктивность серия mlg 0,0068мкгн 300ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603P82NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 82нгн ±5% 300мгц 9q-фактор керамика 80ма 4ом 0

Цена: по запросу

MLG0603P8N2HT, чип-индуктивность серия mlg 0,0082мкгн 250ма ±3%

Цена: по запросу

MLG0603PR10JT, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 100нгн ±5% 300мгц 9q-фактор керамика 80ма 4.5ом

Цена: по запросу

MLG0603S39NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 39нгн ±5% 100мгц 6q-фактор керамика 50ма 2ом 0

Цена: по запросу

MLG0603SR18JT, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 180нгн ±5% 100мгц 5q-фактор керамика 50ма 8.5ом

Цена: по запросу

MLG1005S0N4CT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S0N6BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0006мкгн±0.1нгн 100мгц керамика 1a 0.1ом 0402

Цена: по запросу

MLG1005S10NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.01мкгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 0.5a 0.35ом

Цена: по запросу

MLG1005S12NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 12нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 400ма 400мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S12NJT 12nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 400mOhm Max 0402 (1005 Metric) Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.012 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.4 Добротность,Q 8 Рабочая...

MLG1005S15NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 15нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 400ма 550мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S15NJT 15nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 550mOhm Max 0402 (1005 Metric) Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.015 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.55 Добротность,Q 8 Рабочая...

MLG1005S16NJT, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S18NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 18нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 350ма 600мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S18NJT Катушки постоянной индуктивности .018 UH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.018 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.6 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S1N0BT, чип-индуктивность серия mlg 1нгн 1000ма ±0.1нгн

Цена: по запросу

MLG1005S1N3BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0013мкгн±0.1нгн 100мгц 7q-фактор керамика 1a 0.1ом

Цена: по запросу

MLG1005S1N6ST, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 1.6нгн 0.3нгн 100мгц 7q-фактор керамика 1a 120мом

Цена: по запросу

MLG1005S20NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.02мкгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 0.35a 0.6ом

Цена: по запросу

MLG1005S22NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 22нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 350ма 700мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S22NJT Катушки постоянной индуктивности 22 NH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.022 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.7 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S27NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 27нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 300ма 800мом по постоянному току

Цена: по запросу

Описание MLG1005S27NJT Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.027 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.8 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 1 Диаметр...

MLG1005S27NJT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S2N0BT, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкгн 0.1нгн 100мгц 7q-фактор керамика 0.9a

Цена: по запросу

MLG1005S2N0CT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.002мкгн±0.2нгн 100мгц 7q-фактор керамика 0.9a 0.15

Цена: по запросу

MLG1005S2N4BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкгн±0.1нгн 100мгц 7q-фактор керамика 0.8a 0.1

Цена: по запросу

MLG1005S2N4BTD25, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкгн 0.1нгн 100мгц 7q-фактор керамика 0.8a автомобильного применения л...

Цена: по запросу

MLG1005S33NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 0.3a 0.9ом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S33NJT Катушки постоянной индуктивности 33 NH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.033 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.9 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S3N6BT000, чип-индуктивность высокочастотная 0402 3.6нгн

Цена: по запросу

MLG1005S3N9BT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкгн±0.1нгн 100мгц 8q-фактор керамика 0.7a 0.2

Цена: по запросу

MLG1005S3N9BT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S47NJT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 47нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 250ма 1.2ом

Цена: по запросу

MLG1005S47NJT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения

Цена: по запросу

MLG1005S4N3ST, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 4.3нгн 0.3нгн 100мгц 8q-фактор керамика 700ма 200мом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S4N3ST Катушки постоянной индуктивности 4.3nH Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.0043 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.2 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 1 Диаметр...

MLG1005S4N7ST, чип-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 4.7нгн 0.3нгн 100мгц 8q-фактор керамика 700ма 250мом

Цена: по запросу

MLG1005S51NJT, чип-индуктивность силовая неэкранированная серия mlg1005s 0402 51 нгн 250 ма 1.2ом по постоянному току

Цена: по запросу

MLG1005S51NJTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 51нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 250ма 1.2ом

Цена: по запросу

MLG1005S5N6ST, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0056мкгн±0.3нгн 100мгц 8q-фактор керамика 0.6a 0.2

Цена: по запросу

MLG1005S68NHT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.068мкгн 3% 100мгц 8q-фактор керамика 0.2a 1.5ом

Цена: по запросу

MLG1005S68NJT, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 68нгн ±5% 100мгц 8q-фактор керамика 200ма 1.5ом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S68NJT Катушки постоянной индуктивности 68 NH 5% Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.068 Допуск номинальной индуктивности,% 5 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 1.5 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ...

MLG1005S6N2ST, индуктивность smd высокочастотная неэкранированная многослойная 6.2нгн 0.3нгн 100мгц 8q-фактор керамика 600ма 250мом

Цена: по запросу

Описание MLG1005S6N2ST Катушки постоянной индуктивности IND 0402 6.2nH StdQ SMD RF IND Серия mlg1005s Номинальная индуктивность, мкГн 0.0062 Типоразмер 0402 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 8 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина...