Москва
 
+7(495)740-30-77

Индуктивности и дроссели SMD-исполнения

Сортировать по:
От А до Я
20
MLZ2012M4R7HT, чип-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкгн ±20% 2мгц феррит 400ма 442мом по постоянному току 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLZ2012M4R7WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкгн ±20% 2мгц феррит 500ма 390мом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012M4R7WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкгн ±20% 2мгц феррит 500ма 390мом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
3.36 ₽
Описание MLZ2012M4R7WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...
MLZ2012M6R8HT, чип-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкгн ±20% 2мгц феррит 350ма 520мом по постоянному току 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLZ2012M6R8WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкгн ±20% 2мгц феррит 400ма 520мом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012M6R8WT, чип-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкгн ±20% 2мгц феррит 400ма 520мом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
3.56 ₽
Описание MLZ2012M6R8WT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...
MLZ2012N100LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.39ом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N100LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.39ом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
3.06 ₽
MLZ2012N100LT000, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLZ2012N100LTD25, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.39ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента на катушке
MLZ2012N100LTD25, чип-индуктивность многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.39ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента ...
В наличии
7.21 ₽
MLZ2012N100LTD25, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкгн ±20% 2мгц феррит 0.5a 0.39ом 0805 автомобильного применения лента на катушке
Цена: по запросу
MLZ2012N101LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 100мкгн ±20% 2мгц феррит 0.14a 4.55ом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N101LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 100мкгн ±20% 2мгц феррит 0.14a 4.55ом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
3.62 ₽
MLZ2012N150LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 15мкгн ±20% 2мгц феррит 0.35a 0.611ом по постоянному току 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLZ2012N150LTD25, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLZ2012N150LTD25, чип-индуктивность многослойная экранированная 15мкгн ±20% 2мгц феррит 0.35a 0.611ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лент...
Цена: по запросу
MLZ2012N1R0LT, индуктивность smd силовая экранированная многослойная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 1.15a 78мом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N1R0LT, индуктивность smd силовая экранированная многослойная 1мкгн ±20% 2мгц феррит 1.15a 78мом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
4.28 ₽
MLZ2012N1R5LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 1.5мкгн ±20% 2мгц феррит 900ма 130мом по постоянному току 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLZ2012N220LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 22мкгн ±20% 2мгц феррит 300ма 871мом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N220LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 22мкгн ±20% 2мгц феррит 300ма 871мом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
5.00 ₽
Описание MLZ2012N220LT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...
MLZ2012N220LTD25, чип-индуктивность многослойная экранированная 22мкгн ±20% 2мгц феррит 300ма 871мом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента...
Цена: по запросу
MLZ2012N2R2LT, индуктивность smd силовая экранированная многослойная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 800ма 156мом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N2R2LT, индуктивность smd силовая экранированная многослойная 2.2мкгн ±20% 2мгц феррит 800ма 156мом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
2.62 ₽
MLZ2012N3R3LT, чип-индуктивность силовая многослойная экранированная 3.3мкгн ±20% 2мгц феррит 750ма 195мом
Цена: по запросу
MLZ2012N4R7LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкгн ±20% 2мгц феррит 600ма 234мом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N4R7LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкгн ±20% 2мгц феррит 600ма 234мом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
3.86 ₽
MLZ2012N6R8LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкгн ±20% 2мгц феррит 550ма 325мом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N6R8LT, чип-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкгн ±20% 2мгц феррит 550ма 325мом по постоянному току 0805 лента на катушке
В наличии
3.46 ₽
Описание MLZ2012N6R8LT Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при...
Показать еще 20 товаров