Москва
 
+7(495)740-30-77

Индуктивности и дроссели SMD-исполнения

Сортировать по:
От А до Я
20
MLF2012DR15JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.3a 0.2ом 0805 лента на катушке
$0.07
MLF2012DR15KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 150нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 300ма 200мом 0805 автомобильного применения
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR15KT Катушки постоянной индуктивности 0.15 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.15 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.2 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR18JT, индуктивность и дроссель smd-исполнения
$0.07
MLF2012DR18KT, индуктивность smd
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR18KT Катушки постоянной индуктивности .18 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.18 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.25 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR22JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.3ом 0805 лента на катушке
$0.07
MLF2012DR22KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 220нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 250ма 300мом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR22KT Катушки постоянной индуктивности 0.22 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.22 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.3 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR27JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.35ом 0805 лента на катушке
$0.07
MLF2012DR27KT, индуктивность smd высокочастотная экранированная многослойная 270нгн ±10% 25мгц 20q-фактор феррит 250ма 350мом по постоянному току 0805 лента ...
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR27KT Катушки постоянной индуктивности .27 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.27 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.35 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR33JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкгн ±5% 25мгц 20q-фактор феррит 0.25a 0.4ом 0805 лента на катушке
$0.07
MLF2012DR33KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 0.33 мкгн ±10 % 250 ма
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR33KT Катушки постоянной индуктивности .33 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.33 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.4 Добротность,Q 20 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR39JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.39мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.45ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012DR39KT, чип-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия mlf 0805 390 нгн ±10 % 200 ма
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR39KT Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.39 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.45 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С -55…125 Способ монтажа smd Длина корпуса,мм 2 Диаметр...
MLF2012DR47JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.47мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.5ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012DR47KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 470нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 200ма 500мом 0805 автомобильного применения
MLF2012DR47KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 470нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 200ма 500мом 0805 автомобильного применения
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR47KT Катушки постоянной индуктивности .47 UH 10% Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.47 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.5 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С -55…125 Способ...
MLF2012DR47KTD25, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.47мкгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 0.2a 0.5ом 0805 автомобильного применения
Цена: по запросу
MLF2012DR56JT, индуктивность и дроссель smd-исполнения
Цена: по запросу
MLF2012DR56JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.55ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012DR56KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.55ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR56KT TDK 0805 MLF2012 Series Magnetically Screened Inductors Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.56 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.55 Добротность,Q 25 Рабочая температура,С...
MLF2012DR68JT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.68мкгн ±5% 25мгц 25q-фактор феррит 0.15a 0.6ом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
MLF2012DR68KT, чип-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 680нгн ±10% 25мгц 25q-фактор феррит 150ма 600мом 0805 лента на катушке
Цена: по запросу
Описание MLF2012DR68KT 680nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 600mOhm Max 0805 (2012 Metric) Серия mlf2012 Номинальная индуктивность, мкГн 0.68 Допуск номинальной индуктивности,% 10 Типоразмер 0805 Активное сопротивление,Ом 0.6 Добротность,Q 25 Рабочая...
Показать еще 20 товаров