MLZ2012DR10DT, чип-индуктивность многослойная экранированная 100нгн ±20% 25мгц феррит 1.15a 91мом по постоянному току 0805 лента на катушке
Описание
Описание MLZ2012DR10DT
Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при низком сопротивлении постоянному току. MLZ-L индуктивности имеют на 60% выше номинальный диапазон индуктивности по сравнению с MLZ-W типом.
Особенности данной серии:
- Наименьшая зависимость индуктивности от постоянного тока
- Наименьшее омическое сопротивление
- Высокая эффективность развязки в цепях питания
- Подходят для трактов звуковой частоты благодаря малому омическому сопротивлению
- Диапазон рабочих температур: -55…+125°С
- ЧИП индуктивности пригодны для высокоплотного монтажа и не содержат свинца
| Серия | mlz2012 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 0805 |
| Активное сопротивление,Ом | 0.07 |
| Рабочая температура,С | -55…125 |
| Способ монтажа | smd |
| Длина корпуса,мм | 2 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 1.25 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 1000 |
| Вес, г | 0.01 |