Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы управляемые p-n переходом

Сортировать по:
От А до Я
20
MMBF4392, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
MMBF4392, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF4392LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBF4392LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF4393, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
MMBF4393, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
Описание MMBF4393LT1G The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications. • 30VDC Drain-source voltage • 30VDC Drain-gate voltage • 30VDC Gate-source voltage • 50mA Forward gate current Максимальная рабочая...
MMBF4393LT3G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBF4393LT3G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF5103, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт
MMBF5103, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF5457, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBF5457, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF5458, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBF5458, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF5458, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBF5458, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF5461, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт
MMBF5461, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF5461, полевой транзистор с управляемым p-n переходом
MMBF5461, полевой транзистор с управляемым p-n переходом
Цена: по запросу
MMBF5462, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт
MMBF5462, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
Цена: по запросу
Описание MMBFJ112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.92мм Transistor Configuration Одинарный Емкость исток-затвор 28пФ Запирающий ток сток-исток Idss min. 5mA Производитель ON Semiconductor Емкость...
MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
Описание MMBFJ176 P-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 2…25 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 250(max)...
MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
Описание MMBFJ177 Корпус TO236 Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 1.5…20 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.8…2.5 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 300(max) Максимальная рассеиваемая...
Показать еще 18 товаров