MMBFJ201, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание MMBFJ201
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 40 |
| Ток утечки (Idss), мА | 0.2…1 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 20 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.3…1.5 |
| при Id, нА | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.35 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.04 г
Код товара
220013
Корпус
SOT-23
Краткое описание
JFET N-CH 40V 350mW SOT23 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Мощность Макс
350 мВт
Напряжение отсечки (при токе)
300 мВ
Напряжение Сток-Исток Макс
40 В
Нормоупаковка
3000 шт
Проводимость (N/P)
N-канальный
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/49/65/e9/5a/8b8e9b6ece5ce422dab3d034.pdf